张济康
- 作品数：11 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MOCVD法透射式GaAs光阴极材料生长及性能研究被引量：1
- 1993年
- 应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)～10^(19)cm^(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱吸收波长范围与设计值基本符合。用此方法生成的材料进行了阴极激活实验,制成了透射式 GaAs 光电阴极。
- 高鸿楷张济康云峰
- 关键词：砷化镓光电阴极MOCVD
- 铯分子源的质谱分析
- 1991年
- 本文用质谱分析的方法,对广泛应用于象增强器制作的铯分子源的去气过程进行了质谱分析,给出了铯分子源的最佳去气电流与时间。这组数据将有助于正确控制去气过程。
- 杨滨张济康候洵
- 关键词：真空系统质谱分析
- 一种新型砷化镓抛光工艺的研究
- 1989年
- 在半导体制造工艺中,首先要获得一个平滑、光亮、无损伤层的表面.半导体晶片的抛光,国际上主要采用化学机械混合同时抛光.该种方法抛光的晶片,表面平整度、光洁度好,机械损伤小.据报道,目前用于砷化镓材料的抛光液配方已有一些,但都不理想.例:2Br-98CH_3OH抛光液,该抛光液存在抛光质量不稳定,有老化现象,毒性大;
- 刘苏平张国琦高鸿楷张济康
- 关键词：砷化镓抛光晶片
- 全文增补中
- 透射式GaAs光电阴极材料的MOCVD生长被引量：1
- 1992年
- 用常压MOCVD装置,制备了透射式GaAs光电阴极材料。发射层P-型GaAs掺杂浓度到10^(18)-10^(19)cm^(-3),少子扩散长度到4.02μm。AlGaAs层的Al组分含量到0.83,其吸收光谱长波限与设计值基本符合。利用此材料进行了阴极激活实验,制成了透射式GaAs光阴极。
- 高鸿楷张济康云峰龚平王海滨侯洵
- 关键词：GAAS半导体光阴极气相沉积
- GaAs光阴极材料液相外延中溶液配比的研究
- 1992年
- 本文研究了在GaAs阴极材料液相外延中浴液配比的理论计算值与实验数值的差异。在大量实验数据的基础上,利用数值计算方法,获得了方便、实用的经验公式。用此公式计算出的溶液配比生长出了高质量的GaAs光阴极材料。
- 张冰阳何益民李朱安张济康高鸿楷侯洵
- 关键词：光阴极液相外延砷化镓
- GaAs晶片表面的光辐射清洁及红外测温
- 1991年
- 本文介绍了在超高真空系统中对GaAs晶片进行光辐射清洁。这个实验是在实际研制的象增强器第三代管转移铟封系统上完成的,已具有实用价值。用这套清洁方法所制作的反射式GaAs光阴极积分灵敏度已达750μA/lm。
- 杨滨侯洵张济康郭里辉张功力
- 关键词：GAAS光电阴极光辐射测温
- GaAs光阴极材料的液相外延被引量：2
- 1992年
- 利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10^(16)cm^(-3),少子扩散长度达2.1μm。
- 张冰阳何益民朱李安张济康高鸿楷侯洵
- 关键词：砷化镓光阴极
- 气体旋转衬底座
- 本实用新型属于专门用于制作半导体材料的装置的结构改进，是在环形沟槽内均布有排气孔，在凹陷中央开有旋塞孔与进气通道相通，并有一旋塞能与其吻合相接，定位针位于旋塞的中心，其周围均布有进气孔，托盘背底面有三条及其以上的圆弧线槽...
- 张济康高鸿楷
- 文献传递
- 气体旋转衬底座
- 张济康
- 该专利是对一种专门用于制作半导体材料的装置的结构改进。该气体旋转衬底座的环形沟槽内均布有排气孔，在凹陷中央开有旋塞孔与进气通道相通，定位针位于旋塞中心，其周围均布有进气孔，托盘背底面有三条以上的圆弧线槽，线槽的辐射中心连...
- 关键词：
- MOCVD过程中回流现象的数值模拟被引量：7
- 1994年
- 在金属有机物化学汽相淀积过程中，反应器中的回流现象严重影响生长层的界面陡峭性．本文从关于ＭＯＣＶＤ的流体力学基本方程出发，用二维有限差分和流函数涡量法求解方程，取得了不同条件下气流场的流谱．计算结果表明，减小反应器坛强、增加运载气体流量等方法可以消除回流．本文所用的流函数－涡量法具有简单、明了，运算速度快等优点．
- 张佳文高鸿楷张济康杨永
- 关键词：半导体材料MOCVD数值模拟
