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孙书农
作品数:
19
被引量:52
H指数:5
供职机构:
厦门大学物理与机电工程学院物理学系
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合作作者
柳兆洪
物理学系
陈振湘
厦门大学物理与机电工程学院物理...
陈谋智
厦门大学物理与机电工程学院物理...
纪安妮
厦门大学物理与机电工程学院物理...
刘瑞堂
厦门大学
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1篇
2000
4篇
1999
1篇
1998
6篇
1997
1篇
1995
2篇
1993
1篇
1990
1篇
1988
1篇
1986
共
19
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硫化锌薄膜的微结构和表面特性研究
被引量:8
1998年
对射频磁控溅射法制备的掺铒硫化锌薄膜,运用X射线衍射和X射线光电子能谱技术,获得微晶薄膜的微结构和表面构态信息,揭示了电致发光薄膜的表面构态对激发态的影响。
陈谋智
陈朋
柳兆洪
陈振湘
孙书农
刘瑞堂
关键词:
电致发光
激发态
硫化锌
溅射法制备硫化锌薄膜的探索
被引量:15
1997年
利用射频磁控溅射法制备硫化锌薄膜,用X射线衍射、透射电镜、研究薄膜的结构相变,揭示了硫化锌薄膜的微观结构和相变特征.
柳兆洪
孙书农
王余姜
陈振湘
刘瑞堂
关键词:
射频磁控溅射
硫化锌
溅射法
溅射法制备硫化锌薄膜的XPS剖析
被引量:5
1997年
用X射线光电子能谱(XPS)技术,测量了射频磁控溅射法(RFMS)制备的硫化锌薄膜(ZnS:Er3+)的表面及内部构态,认为氧吸附形成的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因,对研究器件的激发过程有参考意义。
陈谋智
柳兆洪
孙书农
邱伟彬
刘瑞堂
关键词:
半导体薄膜
硫化锌
射频磁控溅射
掺铒硫化锌ACTFEL中深能级的测定
被引量:2
1988年
采用热激电流(TSC)法,在180-430K温度内对三种不同结构的ZnS:Er^(3+)交流薄膜电致发光(ACTFEL)样品,测得三个热激电流峰.经分析认为它们对应于ZnS:Er^(3+)层体内,ZnS:Er^(3+) Y_2O_3和ZnS:Er^(3+)-SnO_2界面处存在的不同深度的陷阱能级.估算其位置和密度,并讨论了实验结果.
陈振湘
孙书农
刘瑞堂
关键词:
ELECTROLUMINESCENT
硫化锌薄膜的微结构剖析
被引量:1
1999年
用X射线衍射和X射线光电子能谱技术,对分舟热蒸发法研制的掺铒(Er)硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析,获得薄膜表面及粉料的构态信息,讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。
柳兆洪
陈谋智
孙书农
刘瑞堂
林爱清
邓彩玲
肖细凤
关键词:
硫化锌
直流电致发光
稀土掺杂
粉末电致发光的新应用──一种光神经器件
1995年
近年来,人工神经网格与神经网络计算机的研究在世界范围内已形成一个热点,本文通过对电致发光材料的各种特性的讨论,分析了固体化平板电致发光作为一种光神经器件的一些特点,指出了它在神经网络实现中有很好的应用前景。
陈振湘
帅建伟
纪安妮
林秀森
胡启富
孙书农
关键词:
电致发光
电致发光器件
硫化锌薄膜的制备和结构分析
被引量:5
1997年
用常规分舟热蒸发法在玻璃衬底上制备硫化锌薄膜,用X射线衍射和透射电子显微镜研究该薄膜的晶体结构,发现硫化锌薄膜与流化锌粉末在晶体结构上存在差异,实验证实硫化锌晶体是具有高于性的共价键晶体。
柳兆洪
刘瑞堂
孙书农
陈振湘
胡启富
邱伟彬
纪安妮
林爱清
关键词:
硫化锌薄膜
化合物半导体
掺铒硫化锌交流电致发光薄膜的表面结构
被引量:5
1999年
对研制的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜,进行了表面的 X 射线衍射( X R D) 、 X 射线光电子能谱( X P S) 及发光亮度测量。研究认为薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势,表层碳、氧主要来源于吸附与玷污,绝缘层选择高介电常数、低电阻率的材料。
王余姜
陈谋智
孙书农
刘瑞堂
关键词:
半导体材料
交流电致发光
介电常数
室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究
被引量:9
1997年
报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡(ITO)薄膜获得电阻率3×10-4Ω·cm,在可见光区平均透光率84%的优良性能.
纪安妮
孙书农
柳兆洪
刘瑞堂
关键词:
磁控溅射
ITO薄膜
晶体结构
扫描电镜
高效率ZnS:ErACTFELD的研制
2000年
对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD) ,根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益 ,提高激发效率的原理 ,通过改变常规ZnS :ErACTFELD的基本结构 ,研制出多阻挡层器件。实验证实 ,这种多阻挡层器件具有高的阈值电压和高的电致发光亮度。
柳兆洪
陈谋智
徐广海
孙书农
刘瑞堂
关键词:
势垒层
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