周石山
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：同济大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：上海市基础研究重大（重点）项目更多>>
- 相关领域：化学工程理学更多>>
- 水解法制备M-VO_2纳米粉体被引量：4
- 2010年
- 以VOSO_4和NH_4HCO_3为原料,采用水解沉淀法制备M-VO_2纳米粉体;借助TGA-DTA,XRD,IR和TEM等方法对VO_2形成机理进行了分析.结果表明:在226℃之前,VOSO_4的水解产物脱去物理吸附水,失重率达13.19%(质量分数),在226～415℃,脱去—OH基团,形成无定形VO_2;在DTA曲线上,375.7℃附近的放热峰为无定形VO_2向B-VO_2转变时的析晶峰;继续提高热处理温度和延长热处理时间,B-VO_2逐渐转变为M-VO_2.VO_2前躯体在氩气保护下500℃热处理3 h,即得到高纯度M-VO_2纳米粉体,其颗粒直径为25～80 nm,且大部分为单晶,相变温度为68℃.
- 杨修春王胤博周石山董琰峰
- 关键词：相变温度
- 无机溶胶凝胶法制备B型和M型VO2粉体
- 以V2O5 为原料，采用无机溶胶-凝胶法制备出V2O5 粉体，在H2 气氛下热处理得到了VO2（B）粉体，再在Ar 气氛下热处理VO2（B）粉体，制备出了VO2（M）粉体。采用X 射线衍射（XRD）、红外吸收光谱（IR）...
- 杨修春董琰峰周石山黄敏侯军伟
- 关键词：五氧化二钒晶型转变
- 钨掺杂M型二氧化钒粉体的水解法制备与结构分析被引量：3
- 2014年
- 采用水解法制备不同W掺杂量的VO2(M)粉体。借助于X射线衍射仪、Fourier变换红外谱、差示扫描量热仪、X射线光电子谱仪和X射线精细结构谱对粉体的成分和结构进行表征。结果表明,W6+进入VO2晶格,形成固溶体V4+1-3xV3+2xWxO2。W掺杂降低了VO2(M)的相变温度,相变温度与W掺杂量在一定范围内成线性关系,掺杂效率约为18℃/1%(摩尔分数)。掺杂的大半径W原子部分替换了VO2(M)晶格中的V原子,晶格膨胀畸变产生的压应力通过共享顶点O,沿着W—O—V链传递到邻近的次晶格,造成V—O键键长变化,促使V周围的氧分布对称性随W掺杂量的增加而增大。当W掺杂量增大至2.5%时,单斜结构中的V—O1键和V—V1a键伸长,V—O2键和V—V1b键缩短,V—O1和V—O2峰合并成金红石结构的V—O峰,V—V1a峰和V—V1b峰合并成金红石结构的V—V1峰,即样品已转变为金红石结构。
- 杨修春陈超周石山王胤博
- 关键词：水解法相变温度
- 无机溶胶凝胶法制备B型和M型VO2粉体
- 以VO为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备出VO粉体,在H气氛下热处理得到了VO(B)粉体,再在Ar气氛下热处理VO(B)粉体,制备出了VO(M)粉体。采用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(IR)、差热分析(DTA)、透射...
- 董琰峰杨修春周石山黄敏侯军伟
- 关键词：五氧化二钒晶型转变
- 文献传递
- 无机溶胶-凝胶法制备B型和M型VO_2粉体被引量：2
- 2010年
- 以V2O5为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备出V2O5粉体,在H2气氛下热处理得到了VO2(B)粉体,再在Ar气氛下热处理VO2(B)粉体,制备出了VO2(M)粉体。采用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(IR)、差热分析(DTA)等方法对样品进行了成分和结构分析,结果表明,当热处理温度为500℃、H2浓度50%时,得到VO2(B)粉体;然后,在Ar气氛下分别经过550、600、650、700℃处理1h后,VO2由B型向M型转变,700℃处理成功制备出了VO2(M)粉体。
- 董琰峰周石山杨修春
- 关键词：V2O5晶型转变
- VO_2(M/R)复合薄膜的研究进展
- 2012年
- VO2(M/R)薄膜相变前后的红外透过率、电阻率变化显著,在光学、电学开关等领域极具应用潜力。VO2(M/R)复合薄膜能克服纯相材料本身的不足,还可以引入新的性能和结构。综述了VO2(M/R)复合薄膜的特点和主要性能,总结了薄膜的复合方式,讨论了复合薄膜制备中存在的问题,并结合近年的相变机理、制备工艺、复合方式等报道展望了VO2(M/R)复合薄膜的研究发展前景。
- 周石山杨修春董琰峰王青尧
- 关键词：二氧化钒相变
