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刘宝营

作品数：8 被引量：4H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇直流磁控
  • 7篇直流磁控溅射
  • 7篇溅射
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 5篇氧化锡
  • 5篇金属
  • 5篇二氧化锡
  • 4篇可擦写
  • 3篇氧化钼
  • 3篇纯金属
  • 2篇度条件
  • 2篇温度
  • 2篇温度条件
  • 2篇存储器
  • 1篇底电极
  • 1篇多晶
  • 1篇纸基
  • 1篇制备金属
  • 1篇透明电极

机构

  • 8篇复旦大学

作者

  • 8篇刘宝营
  • 5篇张群
  • 2篇张群

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储单元及其制备方法
本发明属于非易失性存储器件技术领域，具体为一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元。本发明以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，氧化锡薄膜作为阻变层，氧化钼薄膜作为氧存储层，具体结构组成依次为：油墨彩印纸基板，作为底电极...
张群刘宝营
文献传递
直流磁控溅射法制备氧化锡薄膜阻变存储器的研究
本文采用直流磁控溅射法制备了二氧化锡/(Sn02/)为阻变层的薄膜阻变存储器单元。对Sn02薄膜的表面形貌、光学性能和电学性能进行了表征,分析了制备温度和退火工艺对Sn02阻变性能的影响,并通过改善制备工艺,加入MoOx...
刘宝营
关键词：二氧化锡直流磁控溅射透明电极
文献传递
采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储单元及其制备方法
本发明属于非易失性存储器件技术领域，具体为一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元。本发明以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，氧化锡薄膜作为阻变层，氧化钼薄膜作为氧存储层，具体结构组成依次为：油墨彩印纸基板，作为底电极...
张群刘宝营
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一种可擦写式双层薄膜结构阻变存储单元及其制备方法
本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种可擦写式双层薄膜结构的阻变式存储单元及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡与钼靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备二氧化锡阻变薄膜和氧化钼氧存储层，并...
张群刘宝营
二氧化锡薄膜电致阻变特性的研究
电阻式随机存储器因具有工艺简单、擦写速度快、存储密度高和半导体工艺兼容性好等特点而被认为是新一代非挥发性存储器而备受关注。目前已经证实多种氧化物材料具有电致阻变特性,其中代表性的有氧化钛、氧化镍、氧化锆、氧化铜和氧化铝等...
刘宝营张群
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直流磁控溅射制备SnO_2薄膜的阻变特性研究被引量：4
2012年
采用直流磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2基片上分别以三种不同的基板温度和后热处理工艺制备了二氧化锡(SnO2)薄膜。采用X射线衍射仪对三种薄膜的晶格结构进行了分析表征,通过Keithley 4200半导体参数分析仪对薄膜的阻变特性进行了测试。实验结果表明:三种制备条件下的SnO2薄膜均具有阻变性能,基板温度350℃和850℃退火处理分别制备的薄膜同时具有良好的写入/擦除电压分布一致性、较好的高阻态阻值离散性和较大的开关比。初步讨论了三种薄膜阻变特性的机理,薄膜内部导电细丝的形成和断裂程度不同造成三种薄膜高低阻态电阻分布不同,同时影响了写入与擦除阈值电压的分布一致性等阻变参数。
刘宝营张群
关键词：二氧化锡直流磁控溅射
一种可擦写式双层薄膜结构阻变存储单元及其制备方法
本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种可擦写式双层薄膜结构的阻变式存储单元及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡与钼靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备二氧化锡阻变薄膜和氧化钼氧存储层，并...
张群刘宝营
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一种多晶二氧化锡阻变薄膜及其制备方法和应用
本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种多晶二氧化锡阻变薄膜及其制备方法与应用。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备多晶二氧化锡半导体阻变薄膜。采用直流磁控溅射法制备...
张群刘宝营
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