付生辉
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
- 2005年
- 研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响 .随着AB EPD的增大 ,跨导、饱和漏电流变小 ,夹断电压的绝对值也变小 .利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底质量进行了测量 ,结果表明衬底参数好的样品 ,PL参数好 ,相应器件的参数也好 。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：SI-GAAS跨导夹断电压
- 半绝缘砷化镓衬底中缺陷对MESFET器件跨导性能的影响
- 本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10<'3>-10<'4>cm<'-2>量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10<'4>cm<'-2>量级).发现衬...
- 付生辉刘彩池王海云徐岳生郝景臣
- 关键词：半绝缘砷化镓MESFET器件
- 文献传递
- LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
- 2004年
- 用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响 :低AB EPD的片子跨导大 ;高AB EPD的片子跨导小。AB EPD有一临界值 ,当AB EPD高于此值时 ,跨导陡然下降。另外 ,还利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底进行了测量 ,得出了与上述结果相符的结果。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：LECSI-GAAS跨导位错PL
- 粒子运动轨迹与磁场直拉硅技术中磁场方向的优选
- 从带电运动粒子受磁场的作用出发,在研究了硅粒子团的带电状态后,分析在不同方向的外加磁场中,运动的硅粒子团受磁场作用的情况,研究磁场对硅熔体流动状态的作用结果,得到生长完美晶体所需的外加最有效的磁场是轴向磁场.为MCZ技术...
- 张雯王胜利付生辉
- 关键词：磁场方向轴向磁场
- 文献传递
- LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响
- GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,以其为衬底制作的半导体器件及集成电路,由于具有信息处理速度快等优点而受到青睐,成为近年来研究的热点.以液封直拉半绝缘GaAs为衬底的金属半导体场效应晶体管(MES...
- 付生辉
- 关键词：MESFET跨导
- 文献传递
