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万一叶

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:上海交通大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电损耗
  • 2篇陶瓷
  • 2篇偶极子
  • 2篇内耗
  • 2篇介电
  • 2篇介电损耗
  • 2篇Y-TZP陶...
  • 2篇CE

机构

  • 2篇上海交通大学

作者

  • 2篇杜娟
  • 2篇金学军
  • 2篇万一叶
  • 2篇郑开云

传媒

  • 1篇物理学进展

年份

  • 2篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Ce,Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制
2006年
测量了淬火前后8Ce,0.5Y-TZP陶瓷(稳定剂Y2O3的摩尔分数为0.50%)在室温到250℃温度范围内的内耗行为,并对出现的内耗峰机理进行了研究,发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与YZr’V偶极子的再取向有关,而淬火后样品出现的高温内耗峰起源于马氏体相变。此外,本文还研究了8Ce,0.5Y-TZP和8Ce,0.75Y-TZP陶瓷在室温到400℃温度范围内的介电损耗,计算了介电驰豫的激活能,结果表明与内耗试验中机械驰豫的激活能一致。
杜娟郑开云万一叶金学军
关键词:内耗介电损耗陶瓷偶极子
Ce,Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制
测量了淬火前后8Ce,0.5Y-TZP 陶瓷(稳定剂 YO的摩尔分数为0.50%)在室温到 250℃温度范围内的内耗行为,并对出现的内耗峰机理进行了研究,发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与 Y,V(?)偶极...
杜娟郑开云万一叶金学军
关键词:内耗介电损耗陶瓷偶极子
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共1页<1>
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