魏红波
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：湘潭大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺更多>>
- 化学机械抛光工艺中相关问题的数值模拟
- 随着21世纪科学技术的突飞猛进,微电子技术是当代科技发展最快的技术之一,而集成电图(Integrate Circuits简称IC)又是微电子技术的核心。随着IC技术朝着特征尺度逐渐微细化、硅单晶片大直径化、集成度高密集化...
- 魏红波
- 关键词：化学机械抛光分形
- 文献传递
- 双面抛光工艺的流场压力分布被引量：1
- 2010年
- 建立了双面抛光工艺中晶片上下表面的压力分布模型,获得了晶片和抛光垫表面的速度分布关系,分析了自由晶片在抛光过程中的运动状态以及在压力荷载及转矩平衡时晶片上下表面的平均压力分布。数值计算结果表明:荷载压力越大,平均压差率越小;抛光垫转速越小,太阳轮转速越小;抛光液粘度越小,平均压差率越小。同时,根据通过调整抛光参数组合获得了最小的平均压差率,并利用正交实验法数值分析。研究发现抛光工艺参数对压力分布影响的主次关系依次为荷载压力、抛光液粘度、抛光垫转速、太阳轮转速。
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- 关键词：数值模拟
- 表面粗糙度对化学机械抛光工艺过程流动性能的影响被引量：3
- 2009年
- 采用随机中点位移法通过计算机模拟抛光垫和晶片的基于分形的粗糙表面,构造了一种新的膜厚方程。在新膜厚方程的基础上分析了一般润滑方程及带离心项的润滑方程对化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的压力分布以及无量纲载荷和转矩的影响。结果表明,考虑抛光垫和晶片表面的粗糙程度的影响时,抛光液的压力分布有一定的波动,且压力最大值有所增大,压力最小值有所减小;此外无量纲载荷和转矩的数值也变小。
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- 关键词：化学机械抛光分形
