韩德俊
- 作品数：93 被引量：58H指数：5
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- 硅光电倍增探测器
- 本发明提供一种硅光电倍增探测器，包括：探测器主体，其包括由多个APD单元集成在衬底上形成的APD阵列，每个APD单元串联一个雪崩淬灭电阻，在探测器主体外围还设有另外的APD单元，所有APD单元的表面由均匀连续的重掺杂硅导...
- 韩德俊
- 时间分辨拉曼散射特征谱线仪
- 针对常规拉曼光谱仪存在荧光背景干扰、时间分辨率低以及痕量分析检测速度较慢的问题，本发明提出一种新的时间分辨拉曼散射方法及装置--时间分辨拉曼散射特征谱线仪。它采用高增益、快响应速度的多元条形硅光电倍增探测器(SiPM)作...
- 韩德俊张丽颖张春玲
- 文献传递
- 掩埋双p-n结波长探测器的弱光探测被引量：1
- 2004年
- 为提高掩埋双p n结 (BDJ)波长探测器对弱光探测的信噪比 ,不采用其一般的光电导工作模式 ,而应用它的光伏工作模式 ,并借助锁相放大技术 ,测量上下 2个p n结的光生电压 ,不仅得到了光生电流比与波长的关系曲线 ,而且抑制了大量噪声 。
- 张秀荣盛丽艳韩德俊张保州
- 关键词：锁相放大弱光探测
- 高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究
- 现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用.本论文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验研究结果...
- 韩德俊孙彩明盛丽艳张秀荣张海君闫凤章杨茹张录宁宝俊
- 关键词：光晶体管线性度
- 文献传递
- 位置灵敏硅光电倍增探测器
- 本发明涉及一种位置灵敏的硅光电倍增探测器，该硅光电倍增探测器包括：探测器主体，其包括由多个APD单元集成在硅外延片上形成的APD阵列，每个APD单元串联一个雪崩淬灭电阻；正面电极，其位于探测器主体正面的表面，所述正面电极...
- 韩德俊彭彧
- 文献传递
- 高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用
- 1992年
- 我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道。
- 韩德俊李国辉王琦韩卫
- 关键词：砷化镓MESFET
- 用白光快速烧结制作离子注入层欧姆接触
- 1992年
- 研究了用白光快速烧结法制作的n型高浓度离子注入层欧姆接触的特性.选用硅和硫离子,获10^(18)cm^(-3)以上的高浓度.白光快速烧结温度为400～460℃.实测的比接触电阻的最好值达到10^(-6)·Ω·cm^2.该法已用于全离子注入平面型场效应晶体管和GaAs/GaAlAs异质结HOT晶体管,性能良好.
- 李晓明姬成周韩德俊魏东平李国辉
- 关键词：离子注入快速退火
- 区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究
- 2008年
- 现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合。
- 梁琨张海君周地宝杨茹韩德俊张录宁宝俊
- 关键词：瞬态特性光晶体管
- 拉曼散射光谱的测量装置及拉曼散射光谱仪
- 本发明实施例提供一种拉曼散射光谱的测量装置及拉曼散射光谱仪，其中，该装置包括：脉冲激光器发射出的一路激光激发样品产生拉曼散射光信号；拉曼散射光路将拉曼散射光信号传输到光栅单色仪；光栅单色仪将拉曼散射光信号传输给信号光探测...
- 韩德俊王慎远苗泉龙
- 文献传递
- 新结构端面入射条形X射线探测器的研究
- 选择高阻N型<100>单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区,以减少器件的暗电流.通过对比实验发现,当N区的注入量增大时,在相同反向偏压...
- 谢凡北京师范大学低能核物理研究所(北京)杜树成韩德俊
- 关键词：X射线探测器暗电流密度半导体材料
- 文献传递
