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陈龙: 作品数：10 被引量：2H指数：1; 供职机构：福州大学更多>>; 发文基金：国家基础科学人才培养基金更多>>; 相关领域：电气工程自动化与计算机技术电子电信天文地球更多>>

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含硫复合电极的制备及性能: 锂硫电池存在着活性物质溶解流失、在碳电极表面循环可逆性差的缺点,对单质硫表面进行修饰、在碳硫复合电极上负载添加剂可改善电极性能.使用磷腈基团对单质硫表面进行修饰,在碳硫复合电极上混合蒙脱石,液相沉积硫化锰,液相沉积结合热...; 刘景东陈龙郑小双施再发

地理空间信息公共技术支撑环境的研究与建立: 吴升涂平陈龙肖春明陈志勇朱勤东令海燕邬群勇; 建立了地理空间信息技术开放实验室，研究、开发了一些地理空间信息的共性支撑技术和软件服务平台；建立起一整套实用、有效的技术体系、设施和队伍，为地理空间信息关键技术的研究、开发和地理空间信息系统的建立提供集成的软硬件和数据支...; 关键词：; 关键词：地理空间信息公共技术支撑环境

一种基于KNN半监督学习模型的网络流量异常检测方法与系统: 本发明涉及一种基于KNN半监督学习模型的网络流量异常检测方法与系统，首先使用初始有标记数据作为训练样本，利用监督学习训练初始分类模型；然后，利用初始分类模型对网络流量无标记数据进行分类，得到初始分类数据；再利用半监督学习...; 张浩陈龙魏志强; 文献传递

基于DVAE-Catboost的异常流量检测方法与系统: 本发明涉及基于DVAE‑Catboost的异常流量检测方法与系统，首先从网络链路上采集流量数据，提取网络流量特征后再对流量数据进行预处理，接着使用DVAE网络来获得高维网络流量数据的低维表示，然后采用Catboost算法...; 张浩连鸿飞魏志强李杰铃陈龙; 文献传递

负载ZnS的介孔炭复合硫正极材料的制备及性能研究被引量：2: 2013年; 为了获得高性能的锂硫电池正极材料,采用先超声分散再进行热处理的方法制备了负载ZnS的介孔炭复合材料(ZnS/MC),进而用热复合法获得负载有ZnS的介孔炭复合硫正极材料(ZnS/MC/S)。XRD、SEM、EDS和N2吸附脱附等温线表明,当ZnS含量低于17wt%时,通过超声波分散,ZnS可以均匀负载到介孔炭中;但热处理或提高ZnS含量时ZnS会发生聚集,形成闪锌矿型ZnS晶相。循环伏安测试表明,ZnS对多硫离子的氧化起促进作用;充放电测试表明,ZnS/MC/S电极的初始放电比容量为1354.6 mAh/g,首次充放电库仑效率为98.7%;50次循环后容量仍有650 mAh/g。; 陈龙刘景东张诗群; 关键词：锂硫电池 ZNS 超声波分散循环性能

负载ZnS的介孔碳复合硫正极材料的制备及性能研究: 本论文以获得高性能的锂硫电池正极材料为目的,对负载硫化锌(ZnS)的介孔碳复合硫正极材料的制备及性能进行了研究；与此同时,探讨不同的电解液添加剂对锂硫电池性能的影响。主要内容和结果如下：1.以蔗糖为碳源、SBA-15为模...; 陈龙; 关键词：锂硫电池介孔碳硫化锌多硫化物; 文献传递

面向AOSFET增益单元的存储系统功耗分析研究: 2024年; 近年来,数据密集型应用对存储器的存储密度和功耗等性能提出了更高的要求。传统的嵌入式缓存采用6T-SRAM和1T1C-eDRAM技术难以提升存储密度,且存在较高的背景功率。其中,6T-SRAM的背景功率主要来自晶体管的高泄漏电流,1T1C-eDRAM则主要来自刷新功耗。非晶氧化物半导体(AOSFET)因其极低的泄漏电流和三维集成潜力备受关注。(AOSFET)2T0C-eDRAM是下一代嵌入式缓存技术的有力竞争者。针对当前缺乏功耗分析方法的现状,本文建立了2T0C-eDRAM的读写功耗、刷新功率和泄漏功率模型,并将其集成到定制化NVSim模块中,实现了对AOSFET 2T0C-eDRAM存储系统的功耗分析。仿真结果表明,在大容量存储阵列中,AOSFET 2T0C-eDRAM的读写功耗会略低于6T-SRAM、1T1C-eDRAM和硅基 2T0C-eDRAM,其背景功率(刷新功率和泄漏功率)仅为6T-SRAM的1/6,1T1C-eDRAM的1/10,硅基 2T0C-eDRAM的1/10。; 李伟陈龙杨业成郑凌丰王少昊; 关键词：仿真方法功耗

基于数据挖掘技术的Web异常流量检测方法研究: Web异常流量检测是网络安全领域中的一个重要研究方向,分析Web异常流量数据可以实现网络安全预警,在抵御未知攻击行为和维护网络系统正常运行具有重要意义。目前,数据挖掘技术广泛应用于网络异常流量检测,但以下三个问题上仍然存...; 陈龙; 关键词：数据挖掘

一种基于KNN半监督学习模型的网络流量异常检测方法与系统: 本发明涉及一种基于KNN半监督学习模型的网络流量异常检测方法与系统，首先使用初始有标记数据作为训练样本，利用监督学习训练初始分类模型；然后，利用初始分类模型对网络流量无标记数据进行分类，得到初始分类数据；再利用半监督学习...; 张浩陈龙魏志强; 文献传递

基于混合阈值反相器的低功耗无片外电容LDO: 2025年; 无片外电容低压差线性稳压器(Low-Dropout Regulator,LDO)具有输出纹波小、集成度高等优势。为了克服仅将运算放大器作为误差放大器(Error Amplifier,EA)时LDO瞬态响应较慢的问题,可在运算放大器后级联多级反相器并增加输出反馈电容来改善EA的响应速度。但是当多级反相器仅采用标准阈值电压晶体管时,该EA方案中的静态功耗较高且在瞬态响应期间晶体管容易进线性区。本文提出一种采用混合阈值两级反相器的无片外电容LDO结构,通过在末级反相器中采用高阈值电压晶体管替代相同尺寸的标准阈值晶体管,能够将静态电流降低75%的同时仅损失约20%的瞬态响应性能。此外,设计中还加入了阈值电压修调(Threshold Voltage Modulation,TVM)模块,避免高阈值电压晶体管在瞬态响应过程中关断。本文采用SMIC 55nmCMOS工艺对提出的LDO设计进行了仿真。结果表明,该LDO设计在输入、输出电压分别为1.2 V和1.1 V时,整体静态电流仅10μA,实现了低功耗性能。当负载电流在30 ns内发生了20 mA的跳变时,其输出上冲电压为36 mV,恢复时间为36 ns。此外,该LDO的线性和负载调整率分别为0.17 mV/V和0.2μV/mA,低频时电源抑制比为-98 dB。; 盛祥和郭少威卢杨陈龙杨业成王少昊; 关键词：低压差线性稳压器低静态电流