邹德慧
- 作品数：32 被引量：68H指数：6
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国地质调查局地质调查项目更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信理学机械工程更多>>
- 中子辐射损伤等效性研究进展被引量：1
- 2015年
- 为建立不同辐射源损伤评价的统一标准,制定武器抗中子辐射性能考核及验收的依据,国内外确定了中子辐射损伤等效标准源,开展了大量的等效性研究工作。本文从位移损伤函数、辐射源能谱以及二者的结合关系方面梳理了理论研究进展。从基本实验方法、效应参数及场量参数的控制趋势方面总结了实验研究进展。探讨了降低实验不确定度的方法,展望了辐射损伤等效性研究工作的方向。
- 邹德慧邱东许波周静
- 关键词：能谱
- 一种基于ADS优化的微带带通滤波器设计及实现被引量：10
- 2007年
- 介绍微带带通滤波器ADS全局优化设计方法及其设计流程,重点阐述ADS设计流程中的参数优化、器件仿真、矩量法分析等相关内容。微带带通滤波器实物的性能测试表明:通带传输衰减小于2.5dB,端口反射系数小于-15dB,阻带衰减接近40dB,其物理尺寸约8×2.5×1.5cm,基于ADS优化的微带带通滤波器设计优于传统设计。
- 邹德慧赖万昌戴振麟葛良全
- 关键词：微带带通滤波器ADS全局优化矩量法
- 基于平均位移kerma因子方法的位移损伤计算被引量：5
- 2008年
- 根据硅位移kerma函数表,针对传统的基于平均能量的kerma因子取值方法在位移损伤计算中的不足,提出了不同能量中子分群方式下硅位移kerma因子取值的新方法——平均位移kerma因子法。使用该方法计算了几种典型辐射源的位移损伤。结果表明:不同分群方式下,采用平均能量法获得的损伤结果相差17%左右,采用平均位移法得到的损伤结果相差4%左右;采用平均位移法时,群内中子分布模式对损伤结果没有显著影响。
- 邹德慧邱东
- 关键词：能谱
- 双极晶体管中子注量探测器的标定被引量：1
- 2018年
- 双极晶体管经中子辐照后会引起直流增益退化,在109~1016cm-2的注量范围内,其直流增益倒数变化与辐照中子注量呈线性关系。对直流增益退化的双极晶体管进行高温退火,能使受到辐射损伤的双极晶体管性能恢复。鉴于此,将双极晶体管进行逆向工程应用,制作成中子注量探测器,经标定后,可实现对中子注量的监测。对探测器的装配结构进行设计后,依托中国工程物理研究院快中子脉冲堆(CFBR-Ⅱ),在1012~1013cm-2的注量范围对3DK2222A型探测器和在1013cm-2的注量范围对3DG121C型探测器进行标定。在得到探测器损伤常数K的分散性存在较小和较大的两种情况下,确定了分散性较小时的有效取值和应用方法,以及在分散性较大时,采取标定的损伤常数K只能应用在同只探测器上的方案,并通过高温退火实验证实了该方案的可行性。
- 冯加明邹德慧范晓强葛良全吴琨霖罗军益孙文清艾自辉
- 关键词：双极晶体管高温退火
- 等效中子注量在线测量系统的研制工艺被引量：1
- 2016年
- 分析了等效中子注量在线测量系统研制的要素,确定了探测器制作、连接、退火、数据采集等关键工艺,研制了等效中子注量在线测量系统,实现了探测器的小型化以及多路测量。经实验验证,该系统的中子注量测量结果与用活化箔法测量的结果吻合。
- 荣茹邹德慧鲁艺邱东范晓强
- 关键词：探测器双极晶体管
- 基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器被引量：7
- 2013年
- 针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10～600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。
- 蒋勇吴健韦建军范晓强陈雨荣茹邹德慧李勐柏松陈刚李理
- 关键词：中子探测器宽禁带半导体4H-SIC
- 关于开展CFBR-II堆中子辐照损伤等效性研究工作的初步设想
- 为满足新形势下抗辐射加固技术研究需要,针对早期研究工作中存在的不足和CFBR-Ⅱ堆的现状,提出了进一步开展CFBR-Ⅱ堆中子辐射损伤等效研究工作的初步设想,主要包括研究内容、研究目标、拟采取的理论和实验研究方法等,文章最...
- 邹德慧邱东赖万昌
- 关键词：CFBR-II堆中子
- 文献传递
- 沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究被引量：3
- 2015年
- 采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。
- 吴健甘雷蒋勇李俊杰李勐邹德慧范晓强
- 关键词：中子探测硅探测器
- 中子位移损伤监测技术研究
- 利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测试...
- 邹德慧高辉鲁艺艾自辉
- 关键词：能谱硅双极晶体管数据分析方法
- 文献传递
- 一种高灵敏度X射线密度测量技术被引量：2
- 2007年
- 介绍了一种高灵敏度X射线密度测量的基本原理以及基于此原理研制的X射线密度仪。采用FP法迭代计算出被测物质中各元素的含量,再由密度公式算出该物质的密度。该密度仪的软件部分用C语言编写,人机交互界面友好,初步应用表明其稳定性较好、灵敏度高,测得饱和厚度合金样的密度与其理论计算值相吻合,此X射线密度仪有很好的应用前景。
- 戴振麟葛良全邹德慧赖万昌
- 关键词：X射线密度仪软件设计
