衣立新
- 作品数：31 被引量：126H指数：7
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 体异质结有机太阳能电池性能提高的研究被引量：8
- 2008年
- 制备了四种不同结构的有机太阳能电池器件,器件1ITO/LiF/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/C60/Al、器件2ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/C60/Al、器件3ITO/LiF/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶C60/C60/Al和器件4ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶C60/C60/Al。测量了它们的电流-电压特性,结果显示在ITO和PEDOT∶PSS之间插入一薄层LiF使得器件性能得到较大提高。其器件1的JSC和FF比器件2的提高了74%和31%;器件3的JSC比器件4的提高了约40%。这主要是由于LiF层有效地抑制了空穴向阳极的传输,并且LiF层在ITO和PEDOT:PSS之间形成了良好的界面特性。因此,这种结构上的改进有效地提高了有机太阳能电池的性能。
- 苏梦蟾衣立新汪洋时玉萌梁春军
- 关键词：有机太阳能电池氟化锂
- SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
- 2009年
- 利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600nm之间移动。研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)。即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si—O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷,同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散,因此,这些悬挂键可以与扩散的O原子结合,随着SiO层厚度的增加,在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB(O3≡Si—O—O.),NOV(O3≡Si—Si≡O3),E′中心(O≡Si.),NBOHC(O3≡Si—O.)等缺陷,这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用,从而使得发光峰产生红移。
- 王申伟衣立新何桢胡峰王永生
- 关键词：超晶格界面态光致发光
- 氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响被引量：5
- 2008年
- 通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降;二次退火后的样品,随着退火温度的升高,发光强度逐渐增强;注入足够剂量的H+,其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度。研究表明,样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变,而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的。
- 陈恩光衣立新王申伟刘尧平苏梦蟾唐莹王永生
- 关键词：超晶格硅纳米晶
- 一种聚合物/C_(60)异质结有机太阳电池被引量：1
- 2007年
- 用MEH-PPV为给体(空穴传输)、C60为受体(电子传输)首先制备了分层和体异质结结构的两种器件,器件结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/C60/Al和ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:C60/Al。之后又制备了结构为ITO/PE-DOT:PSS/MEH-PPV:C60/C60/Al的第3个器件。作者比较了这3种器件的光伏性质,发现器件3的短路电流密度(JSC)比器件1和器件2的分别增加了300%和150%,开路电压(VOC)分别增加了100%和20%。这主要是由于C60层增加了电子由受体传输到负电极的通道并增大了给体受体界面面积。另一原因是此C60层一定程度地阻挡了空穴从有机物向负极的传输,从而有效地改善了太阳电池的性能。
- 苏梦蟾汪洋梁春军高银浩衣立新
- 关键词：太阳电池
- 溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响被引量：5
- 2009年
- 利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了S iO/S iO2超晶格,热退火处理后超晶格中的S iO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。
- 胡峰衣立新王申伟高华何桢
- 关键词：硅纳米晶超晶格磁控溅射热退火
- 同一偏压下三种不同激发机制的混合发光
- 平板显示是显示器发展的必由之路。在发光平板显示技术中有5类发光现象可以利用。其中只有三种是全固体的发光,它们都是在电场诱导下产生的发光,这就是利用p-n结的发光,无机材料的场致发光及有机材料的场致发光。对它们产生发光的条...
- 徐叙瑢曲崇徐征衣立新
- 文献传递
- Ce^3＋注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响被引量：3
- 2009年
- 通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。
- 杜玙璠衣立新王申伟邬洋
- 关键词：超晶格硅纳米晶光致发光
- Si基CeO2/Tb4O7超晶格薄膜发光特性的研究
- 2011年
- 利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,发生Ce4+→Ce3+转变,Ce3+吸收紫外光后,Ce3+与Tb3+发生能量传递,产生发光。通过改变Tb4O7薄膜厚度,研究了Tb4O7层厚对超晶格发光的影响,结果显示在Tb4O7层厚为0.5nm时,发光强度最大;Tb4O7层厚大于0.5nm时,由于Tb3+间的能量传递,产生浓度猝灭。同时,对超晶格样品在900～1 200℃之间进行了不同温度、不同时间的退火,结果显示在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大。研究认为,Ce3+的浓度、氧空位缺陷以及Ce3+与Tb3+间距的变化是导致这一结果的主要原因。
- 王申伟衣立新丁甲成高靖欣郭逦达王永生
- 关键词：超晶格浓度猝灭
- 一种新型白色长余辉发光材料及其制备方法
- 本发明公开了一种新型白色长余辉发光材料，所述材料的分子式为Zn<Sub>2</Sub>GeO<Sub>4</Sub>，主相结构属于菱方晶系。本发明采用高温固相法合成，将ZnO与GeO<Sub>2</Sub>研磨混匀后煅烧...
- 段晓霞袁满衣立新张希清徐征
- ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性被引量：6
- 2001年
- 本文报道了新型较高亮度的 Zn S:L i2 O蓝色薄膜电致发光 ;烧结了新型的蓝色发光材料 Zn S:L i2 O,用电子束蒸发制备出 Si O2 夹层结构的 Zn S:L i2 O蓝色电致发光器件 ;通过吸收光谱、电致发光光谱、激发电压与发光强度的关系等研究了 Zn S:L i2 O薄膜发光特性。认为 Zn S:L i2 O薄膜电致发光可能是由 Zn填隙和氧替硫引起的 。
- 王晓峰张希清徐征衣立新侯延冰何大伟王永生董金风徐叙
- 关键词：电致发光电子束蒸发发光器件
