公共文化服务平台

田达晰: 作品数：22 被引量：41H指数：3; 供职机构：浙江大学更多>>; 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”长江学者和创新团队发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>

合作作者

低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用被引量：3: 2008年; 通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450—800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重掺砷硅片在450℃和650℃退火时的氧沉淀形核比在800℃退火时更显著,这与轻掺硅片的情况截然相反;此外,与轻掺硅片相比,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时氧沉淀的形核得到增强,而在800℃退火时氧沉淀的形核受到抑制.分析认为,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时会形成砷-空位-氧(As-V-O)复合体,它们促进了氧沉淀的形核;而在800℃退火时As-V-O复合体不能稳定的存在而缺少氧沉淀形核的前驱体,并且重掺砷会导致硅晶体中的晶格压应力,因此氧沉淀形核被显著地抑制.实验还表明,在重掺砷硅片中掺入氮杂质可以促进低温退火时的氧沉淀形核,这种促进作用在800℃退火时表现得更加明显,这与氮引入的异质形核中心有关.; 奚光平马向阳田达晰曾俞衡宫龙飞杨德仁; 关键词：低温退火

300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布: 2008年; 采取从某一温度(600～1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释.; 田达晰马向阳曾俞衡杨德仁阙端麟

以Ge－B共掺直拉硅片作为衬底的P/P+硅外延片: 本发明的以Ge－B共掺的直拉硅片作为衬底的P/P+硅外延片，其衬底中硼的浓度为3×1018～1×1020/cm3，Ge的浓度为1×1...; 杨德仁马向阳田达晰江慧华李立本阙端麟; 文献传递

一种微量掺锗直拉硅单晶: 本发明的微量掺锗直拉硅单晶,它含有浓度为1×1013～1×1021/cm3的磷或硼或砷或锑,浓度为1×1013～1×102...; 杨德仁马向阳田达晰沈益军李立本阙端麟; 文献传递

氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法: 本发明公开的氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法包括多晶硅的融化，种籽晶，放肩、生长、收尾、冷却全过程，其特征是：先将多晶硅在高纯氩气保护下，升温融化，待多晶硅融化后，将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气，高纯氮气的压力...; 杨德仁李立本田达晰马向阳沈益军阙端麟; 文献传递

直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制被引量：18: 2000年; 本文从气氛、热场、坩锅材料、埚位、埚转、晶转、变参数拉晶等几个方面论述了 CZ硅单晶初始氧浓度和氧的轴向均匀性的控制方法 ,着重研究了变参数拉晶对氧的轴向均匀性控制的影响。; 田达晰杨德仁徐明生阙端麟; 关键词：氧直拉硅单晶

氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法: 本发明公开的氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法是:先将多晶硅在高纯氩气保护下,升温融化,待多晶硅融化后,将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气,高纯氮气的压力为5～200Torr,流量在1～200l/min,在氮气通入1～6...; 杨德仁李立本田达晰马向阳沈益军阙端麟; 文献传递

锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响: 2005年; 通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实验结果表明，经过退火后，掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅，这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成，并对相关的机制做了初步探讨．; 江慧华杨德仁田达晰马向阳李立本阙端麟; 关键词：锗氧沉淀

直拉法单晶制造中的直径检测技术被引量：20: 2003年; 自动直径控制(ADC)是直拉法单晶制造中的重要环节。本文详细介绍了直拉单晶的直径检测技术,分析其性能差异,对目前单晶炉设备的设计制造有参考作用。; 田达晰蒋科坚; 关键词：直拉法 ADC