王光红
- 作品数：20 被引量：20H指数：3
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学更多>>
- 碳化硅晶体载流子浓度的分析及多孔碳化硅的制备
- 碳化硅是一种间接宽带隙的半导体材料，具有广泛的应用前景。它的结构特性之一是多型性，结构的多型性使它具有诸多不同的光学及电学特性。碳化硅晶体具有热导率高、抗电压击穿能力强、饱和电子漂移速率高、硬度高、化学稳定强、耐辐射和耐...
- 王光红
- 关键词：拉曼光谱载流子浓度半导体材料
- 文献传递
- p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响
- 2009年
- 采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅i层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明:采用此方法能改善p/i界面特性,提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染,有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后,通过优化沉积条件,制备得到光电转换效率为8.81%(1cm2)的非晶/微晶硅叠层电池.
- 王光红张晓丹许盛之孙福河岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
- P型微晶硅薄膜材料的制备与优化
- 利用VHF-PECVD(75MHz)技术,采用高氢稀释SiH、及BH掺杂的方法,在玻璃衬底上获得了厚度为50nm,电导率达到9.1S/cm,暗电导激活能小于0.035eV,拉曼晶化率超过40%的p层材料。单室工艺制备微晶...
- 许盛之张晓丹孙福河王光红岳强魏长春孙建张德坤胡增鑫赵庚申耿新华赵颖
- 关键词：硼掺杂微晶硅
- 文献传递
- 单室沉积p-i--n电池工艺中磷污染问题研究
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术,研究了单室沉积下腔室磷污染的表现特征。由测试结果发现:单室沉积n层后随即沉积p层或者i层微晶硅,残余的磷将降低微晶p层材料的暗电导,而对本征微晶i层材料,磷会...
- 孙福河张晓丹许盛之王光红岳强魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
- 关键词：磷污染微晶硅
- 文献传递
- 单室沉积高效非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究被引量：5
- 2010年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在前期单室沉积的微晶硅薄膜太阳电池和非晶硅/微晶硅叠层太阳电池研究的基础上,通过对微晶硅底电池本征层硅烷浓度的优化,获得了初始效率达到11.02%(电池面积1.0cm2)的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池.同时,100cm2的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的组件效率也达到了9.04%.
- 张晓丹郑新霞王光红许盛之岳强林泉魏长春孙建张德坤熊绍珍耿新华赵颖
- 关键词：甚高频
- 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法
- 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，在微晶硅基薄膜太阳电池的制备方法中，在沉积完电池的n层后且下一个电池还没有进入到反应室中时，采用空腔室辉光方式进行反应腔室中含磷区域的处理，然后再沉积新电池的p层材料。本发...
- 张晓丹赵颖王光红许盛之郑新霞魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 单室沉积非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池的研究被引量：2
- 2011年
- 在产业化比较成熟的单室沉积非晶硅薄膜太阳电池基础上,进行了非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池性能优化的研究.在生产线上纯单室沉积的非晶硅/非晶硅叠层太阳电池基础上,通过调节n-p隧穿结并采用自行研制开发的单室微晶硅底电池的沉积路线,获得了单室沉积的光电转换效率达到9.52%的非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池.
- 郑新霞张晓丹杨素素王光红许盛之魏长春孙建耿新华熊绍珍赵颖
- 关键词：硅基薄膜太阳电池微晶硅
- 提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法
- 一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电...
- 张晓丹孙福和赵颖许盛之王光红魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 文献传递
- 一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法
- 一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用...
- 张晓丹赵颖王光红许盛之郑新霞魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 拉曼光谱研究n型4H-和6H-SiC晶体的载流子浓度被引量：5
- 2007年
- 半导体材料的纵光学声子与等离子体激元耦合模(LOPC模)能够提供材料电学方面的相关信息。本文在室温下测得了n型4H-和6H-SiC的拉曼光谱,分析了掺入的杂质对于SiC晶体拉曼光谱的影响,通过拟合n型4H-和6H-SiC晶体的LOPC模的线型得到等离子体频率,并由此从理论上计算了载流子浓度。载流子浓度的理论计算值与霍尔测量的结果符合得很好。研究结果进一步证实了对于n型4H-和6H-SiC晶体,可以通过分析LOPC模的线形来较准确地给出相关材料的载流子浓度。
- 王光红施成营冯敏曹学伟郝建民王玉芳杨素华
- 关键词：拉曼光谱SIC
