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栾彩娜

作品数：33 被引量：13H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇一般工业技术
  • 8篇电子电信

主题

  • 20篇单晶
  • 20篇单晶薄膜
  • 15篇有机金属
  • 15篇金属
  • 13篇有机金属化学
  • 12篇单晶结构
  • 10篇光电
  • 6篇氧化锡
  • 5篇淀积
  • 5篇衬底
  • 4篇氧化铟
  • 4篇气相淀积
  • 4篇迁移率
  • 4篇钛酸
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光沉积
  • 4篇可见光
  • 4篇可见光区
  • 4篇光电性
  • 4篇光电性能

机构

  • 33篇山东大学

作者

  • 33篇栾彩娜
  • 28篇马瑾
  • 8篇孔令沂
  • 7篇杨帆
  • 4篇冯先进
  • 2篇李钊
  • 2篇朱振
  • 2篇张彪
  • 2篇肖洪地
  • 1篇杨光
  • 1篇张锡健
  • 1篇林兆军
  • 1篇段秀兰
  • 1篇袁多荣
  • 1篇马洪磊
  • 1篇孙志红
  • 1篇宗福建
  • 1篇魏学成
  • 1篇冯博

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法
本发明涉及一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域。一种正交结构的氧化锡单晶薄膜的外延制备方法，采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)工艺，以四乙基锡[Sn(C<Sub>2</Sub>H<Sub...
马瑾孔令沂栾彩娜
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一种正钛酸锌单晶薄膜及其制备方法
本发明涉及一种正钛酸锌单晶薄膜及其制备方法。以二乙基锌和四(二甲氨基)钛作为金属有机化合物源材料，氧气作为氧化气体，采用金属有机物化学气相沉淀设备在真空条件下在铝酸镁晶面衬底上生长钛酸锌薄膜，将制备的薄膜在空气中退火处理...
马瑾栾彩娜乐永
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一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法
本发明涉及一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法。该镓铟氧化物薄膜具有通式Ga<Sub>2(1－X)</Sub>In<Sub>2X</Sub>O<Sub>3</Sub>，式中x＝0.1－0.9；随着铟含量x从0....
马瑾杨帆栾彩娜
文献传递
一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法
本发明涉及一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法。该镓铟氧化物薄膜具有通式Ga<Sub>2(1-X)</Sub>In<Sub>2X</Sub>O<Sub>3</Sub>，式中x＝0.1-0.9；随着铟含量x从0....
马瑾杨帆栾彩娜
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一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法
本发明涉及一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法。本发明采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)技术，以四乙基锡(Sn(C<Sub>2</Sub>H<Sub>5</Sub>)<Sub>4</S...
栾彩娜马瑾何林安
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Co<'2+>：Mg（Ba，Sr，Ca）Al<,2>O<,4>纳米复合材料的制备及其性质的表征
本文对相关的纳米材料及制备技术进行了大量调研和分析，在此基础上，采用溶胶-凝胶技术方法制备了Co2+∶MgAl2O4/SiO2纳米晶复合材料和Co∶MgAl2O4纳米多晶粉体材料，以及BaAl2O4和Co2+∶Ba(Sr...
栾彩娜
关键词：纳米复合材料四面体配位晶粒尺寸
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采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长β-Ga2O3薄膜
采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上直接沉积β-Ga2O3薄膜。通过X射线衍射光谱(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FT-IR) 研究了β-Ga2O3薄膜的生长和结构与退火温度之间的关系。实验结...
肖洪地马洪磊杨光马瑾林兆军宗福建张锡健栾彩娜
关键词：射频磁控溅射温度
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一种基于p型铟酸亚铜单晶薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种基于p型铟酸亚铜单晶薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法。所述自驱动日盲光电探测器包括衬底，衬底上方设置有n型宽带隙半导体单晶薄膜，所述n型宽带隙半导体单晶薄膜上方设置有p型铟酸亚铜单晶薄膜和第一电极，p...
肖洪地冯博栾彩娜
一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
本发明涉及一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法。该方法包括采用MOCVD法，以四乙基锡和乙醇铌为金属有机源，以氧气为氧化气体，氮气作为载气，在真空条件下在氟化镁衬底上生长铌掺杂氧化锡单晶薄膜。该氧化锡薄膜是具有单晶...
栾彩娜马瑾何林安
一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法
本发明涉及一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基铟作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在蓝宝石衬底上外延生长氧化铟单晶薄膜。该薄膜是...
马瑾杨帆栾彩娜
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