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李理

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：经济管理电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇碳化硅
  • 6篇刻蚀
  • 4篇酸性
  • 4篇酸性溶液
  • 4篇碳化
  • 4篇光刻
  • 4篇硅外延
  • 4篇半导体
  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇碳化硅器件
  • 3篇退火
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇硅表面
  • 3篇硅器件
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇对准标记
  • 2篇升温速率
  • 2篇树脂
  • 2篇树脂层

机构

  • 14篇中国电子科技...

作者

  • 14篇李理
  • 14篇柏松
  • 14篇陈刚
  • 2篇王泉慧
  • 2篇刘海琪
  • 2篇王雯
  • 1篇陈征
  • 1篇陶永洪

年份

  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法
本发明是一种用于制造碳化硅器件的高温退火方法，包括以下步骤：1）使用酸性溶液清洗经过离子注入的SiC晶片；2）在SiC晶片上涂覆一层有机化合物作为保护层；3）将SiC晶片放入高温退火炉，充入氩气作为保护气体；4）将SiC...
李理柏松陈刚
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一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法
本发明是一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法，包括以下步骤：1）将SiC晶片放在Si片托盘上，然后置入快速热处理装置，同时充入保护气体Ar；2）第一升温阶段、保持温度；3）第二升温阶段，稳定温度阶段8；4）第三升温阶段；...
李理柏松陈刚
文献传递
一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法
本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳...
陈刚李理刘海琪柏松
一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法
本发明是一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法，包括以下步骤：1）将SiC晶片放在Si片托盘上，然后置入快速热处理装置，同时充入保护气体Ar；2）第一升温阶段、保持温度；3）第二升温阶段，稳定温度阶段8；4）第三升温阶段；...
李理柏松陈刚
用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法
本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法，其工艺包括：一、制成密集台阶结构；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上形成一层金属膜；四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层；五、树脂...
陈刚李理王雯柏松
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一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法
本发明是一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其工艺包括：一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；四、采用干法...
陈刚李理王泉慧柏松
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一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法
本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳...
陈刚李理刘海琪柏松
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用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法
本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法，其工艺包括：一、制成密集台阶结构；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上形成一层金属膜；四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层；五、树脂...
陈刚李理王雯柏松
一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法
本发明是一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法，包括以下步骤：1）在SiC晶片正面制备一层SiO<Sub>2</Sub>作为保护层；2）在SiC晶片背面制备欧姆接触金属；3）将SiC晶片正面向下放在托盘上，晶片正面保护...
李理陈刚柏松陶永洪
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一种减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法
本发明公开了一种减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法，该方法包括以第一光刻胶层（3）作为阻挡层，采用三氟化氮作为刻蚀气体刻蚀碳化硅外延层（2）以形成栅凹槽（5）；和对所述碳化硅外延层（2）的表面进行高温氧化处理以形...
陈刚柏松李理
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