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李忠辉

作品数：139 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 134篇专利
  • 4篇标准
  • 1篇会议论文

领域

  • 33篇电子电信
  • 7篇金属学及工艺
  • 5篇化学工程
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 44篇氮化
  • 28篇氮化物
  • 27篇迁移率
  • 27篇化物
  • 25篇氮化镓
  • 23篇单晶
  • 21篇成核
  • 20篇单晶薄膜
  • 20篇电子迁移率
  • 20篇晶体管
  • 19篇氮化铝
  • 19篇高电子迁移率
  • 18篇碳化硅
  • 17篇金属有机物
  • 16篇晶体
  • 16篇晶体质量
  • 13篇异质结
  • 13篇外延片
  • 13篇高电子迁移率...
  • 9篇淀积

机构

  • 139篇中国电子科技...

作者

  • 139篇李忠辉
  • 44篇彭大青
  • 31篇李传皓
  • 27篇张东国
  • 24篇李赟
  • 21篇赵志飞
  • 19篇董逊
  • 18篇罗伟科
  • 14篇李亮
  • 14篇杨乾坤
  • 12篇吴云
  • 11篇陈堂胜
  • 8篇倪金玉
  • 8篇郁鑫鑫
  • 7篇陈辰
  • 6篇尹志军
  • 6篇高汉超
  • 5篇霍帅
  • 4篇吴维丽
  • 4篇郭怀新

传媒

  • 1篇第11届全国...

年份

  • 10篇2024
  • 15篇2023
  • 24篇2022
  • 12篇2021
  • 16篇2020
  • 5篇2019
  • 13篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 7篇2015
  • 7篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
共 139 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于GaN功率器件瞬态拉曼结温测试系统、测试方法及应用
本发明公开了一种应用于GaN功率器件的瞬态拉曼测试方法，引入声光调整器实现拉曼的脉冲光技术，进行拉曼激光光源调制，实现器件脉冲载荷与拉曼测试信号的同步触发，满足对GaN器件瞬态的测试分析。并且通过分析瞬态下脉冲信号强度与...
王瑞泽郭怀新戴家赟尹志军李忠辉陈堂胜
一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法
本发明涉及一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法，外延材料的生长采用金属有机物化学气相淀积等气相外延生长方法，氮化镓外延片自下而上依次包括衬底、下层氮化铝成核层、上层氮化铝成核层氮化铝成核层、氮化镓层过...
李忠辉彭大青李传皓
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基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法
本发明涉及一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法，包括如下步骤：1）准备材料；2）依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长；3）生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层；4）在AlGaN...
罗伟科李忠辉陈鑫龙
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一种碳化硅外延材料的缓冲层生长方法
本发明公开了一种碳化硅外延材料的缓冲层生长方法，采用在低速缓冲层生长末期进行低‑高C/Si比切换，在短时间内快速完成切换，以更快速的提升C/Si比。本发明通过采用优化的缓冲层与外延层之间的工艺切换过程，实现低速缓冲层生长...
周平李赟熊瑞王翼赵志飞李忠辉
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一种交替供源制备的氮化物单晶薄膜及方法
本发明是一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。其制备方法，包括如下工艺步骤：a)单晶衬底放入反应室，高温烘烤；b)在单晶衬底上制备Al...
李忠辉彭大青张东国
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一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法
本发明公开了一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)材料生长技术，通过对氮化铝成核层采用铝源和氨源的分时输运及载气转换工艺、第一氮化镓缓冲层采用高压和第二氮化镓缓冲层采用...
李传皓李忠辉彭大青
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一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法
本发明公开了一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法，属于半导体外延材料技术领域。本方法对单晶衬底采用表面氮化处理形成一薄层非晶氮化层，为后续六方氮化硼材料生长提供高密度的成核格点，采用源的分时输运工艺在非晶氮化层表面生...
李传皓李忠辉彭大青
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基于干法转移的碳纳米管阵列的柔性射频器件的制备方法
本发明公开一种基于干法转移的碳纳米管阵列的柔性射频器件的制备方法，具体为：1）刚性支撑层制备；2）碳纳米管阵列保护层制备；3）辅助层制备；4）全剥离揭膜；5）目标衬底贴附；6）阵列薄膜热释放转移；7）残胶清洗；8）低温退...
严可杨扬霍帅张勇王元李忠辉
单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构
本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次...
高汉超尹志军程伟李忠辉朱志明
一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法
本发明是一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，包括如下步骤：1）选择一氮化镓衬底，转移入MOCVD系统中；2）在衬底上进行短时间快速刻蚀；3）在快速刻蚀后进行长时间慢速刻蚀，在衬底表面形成六棱锥微结构；4）侧向生长合并六...
罗伟科李亮李忠辉张东国彭大青董逊
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