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戴伦: 作品数：54 被引量：38H指数：3; 供职机构：北京大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

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一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法: 本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外...; 戴伦贾雄辉程智轩李艳平

一种基于升华法的转移石墨烯的方法: 本发明公开了一种转移石墨烯的方法。该方法利用易升华的物质作为转移石墨烯的支撑层，首先通过加热易升华物质，使其在生长于初始基体上的石墨烯表面凝华形成致密支撑层，然后去除初始基体并将石墨烯/支撑层转移至目标衬底，再将支撑层升...; 邓玉豪王逸伦张晓伟戴伦马仁敏; 文献传递

一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极A、B、C，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，加热电极C接地，分别与加热电...; 戴伦张伯蕊刘仕峰秦国刚; 文献传递

一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法: 本发明公开了一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法。该方法先在衬底上生长半导体相碲化钼薄膜，再图案化半导体相碲化钼薄膜并生长钨薄膜，得到金属钨和半导体相碲化钼相间的薄膜，继而通过化学气相沉积法使钨薄膜变...; 戴伦程智轩贾雄辉

基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法: 本发明公开了一种基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法。本发明采用纳米线探针测量液体的折射率，不需要复杂的耦合激发装置，同时避免了贵金属的使用，因此可以大幅降低成本；此外，纳米线探针测量过程中避免了激光强光源的...; 王逸伦戴伦徐万劲李艳平张琨万逸; 文献传递

一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极(1)、(2)和(3)，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，所述加热电极接地...; 戴伦张伯蕊刘仕峰秦国刚; 文献传递

纳米集成光路中的光源、光波导和光增强被引量：2: 2008年; 使用近场光学显微术(scanning near-field optical microscopy,SNOM)研究了ZnO亚微米线端面出射性质,不同空间形貌Ⅱ-Ⅵ族半导体荧光器件光波导特性,二维光子晶体、准晶光子晶体对LED的出射增强作用以及表面等离激元(surface plasmon polariton,SPP)与半导体纳米荧光器件的相互作用,对纳米集成光路中的光源、光波导、光增强三个重要问题做了实验和理论上的分析.研究发现半导体微纳米线端面出射光束的质量与样品的直径有密切关系.通过合理地设计其直径和表面形貌,可以将其用于纳米集成光路中的光源和光波导.具有多种空间形貌的半导体原型荧光器件,如四脚锥结构、梳状结构、多分支结构都具有很好的光波导特性,能够实现分光、集光、耦合、滤波功能.二维光子晶体对GaN基LED的出光增强效果明显,最高可达5.2倍.近30%的荧光被局域在光子晶体表面没有传播出去.这一结论有利于进一步改善LED出光性能.将半导体光波导与SPP结合,在满足SPP共振激发条件时,可以增强二者界面处电磁场强度.光子晶体和SPP都可以实现低维、纳米尺度下的局域光放大,为纳米集成光路中的光增强提供了可能.; 刘丹马仁敏王菲菲张增星张振生张学进王笑白永强朱星戴伦章蓓

一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置: 本发明公开了一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置。本发明采用在柔性生长衬底上生长钙钛矿纳米材料，并将柔性生长衬底粘贴在载玻片上，将载玻片固定在三维移动台上，将目标衬底放置在显微镜的载物台上，通过分别调节三维移动平...; 王逸伦叶堉戴伦徐晓龙; 文献传递

一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用: 本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用，该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯，半导体MoS<Sub>2</Su...; 袁恺王海龙姚笑寒赵建华戴伦叶堉; 文献传递