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张斯玉

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：长春理工大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电子器件
  • 4篇亮度
  • 4篇光电
  • 4篇光电子
  • 4篇光电子器件
  • 4篇发光
  • 4篇发散角
  • 4篇高亮
  • 4篇高亮度
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体光电
  • 4篇半导体光电子...
  • 2篇导热
  • 2篇导体
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控共溅...
  • 2篇条形半导体激...
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇溅射

机构

  • 6篇长春理工大学

作者

  • 6篇乔忠良
  • 6篇刘国军
  • 6篇高欣
  • 6篇张斯玉
  • 6篇李占国
  • 6篇薄报学
  • 6篇芦鹏
  • 4篇李梅
  • 4篇曲轶
  • 4篇李辉
  • 4篇王玉霞
  • 2篇么艳平
  • 2篇张秀
  • 2篇邓敏
  • 2篇徐扬

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 3篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器
一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...
乔忠良薄报学张斯玉高欣曲轶芦鹏李占国李辉刘国军李梅王玉霞
一种高亮度超辐射发光二极管
超辐射发光二极管属于半导体光电子器件技术领域。现该领域已知超辐射二极管不足之处是输出功率低、光谱窄等缺点，严重限制了这类器件在相关领域中的应用。本发明之一种高亮度超辐射发光二极管，是通过在传统半导体激光器外延片P面上，经...
乔忠良薄报学高欣么艳平李梅王玉霞芦鹏张斯玉邓敏刘国军李占国
文献传递
一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法
本发明之一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法属于薄膜技术领域。该领域已知同类薄膜不足之处是硬度低、导热差、光吸收大等缺点，限制了相关领域中的应用。...
乔忠良薄报学高欣张斯玉徐扬张秀曲轶芦鹏李辉李占国刘国军
文献传递
一种高亮度超辐射发光二极管
超辐射发光二极管属于半导体光电子器件技术领域。现该领域已知超辐射二极管不足之处是输出功率低、光谱窄等缺点，严重限制了这类器件在相关领域中的应用。本发明之一种高亮度超辐射发光二极管，是通过在传统半导体激光器外延片P面上，经...
乔忠良薄报学高欣么艳平李梅王玉霞芦鹏张斯玉邓敏刘国军李占国
一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法
本发明之一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法属于薄膜技术领域。该领域已知同类薄膜不足之处是硬度低、导热差、光吸收大等缺点，限制了相关领域中的应用。...
乔忠良薄报学高欣张斯玉徐扬张秀曲轶芦鹏李辉李占国刘国军
一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器
一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...
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