庞国锋
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：杭州大学特种材料研究所更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 低压等离子体结合热解法制备金刚石膜
- 1995年
- 金刚石膜具有与天然金刚石相似的优异特性，预计会有十分广阔的应用前景．本文介绍了一种新颖的金刚石膜生长技术─—强流电子增强化学气相沉积法（ＩＥＣＶＤ），它结合了传统的热丝法和等离子体法各自的优点，成为一种具有较高生长速率，能够制备大面积均匀金刚石膜的技术．对用这种方法制备的金刚石膜进行了喇曼、扫描电镜和Ｘ－Ｒａｙ衍射分析，并对这项技术的优点作了阐述．
- 庞国锋石成儒韩惠雯
- 关键词：金刚石等离子体法热解法低压
- 多种材料上金刚石膜的成核和生长研究被引量：1
- 1997年
- 采用改进的热丝化学气相沉积(AHFCVD)装置,在四类六种不同性质衬底材料(W、Mo、Cu、Si、SiO_2、Al_2O_3)上研究了金刚石膜成核与生长特性。研究了基片材料特性(如材料的结晶特性、晶格常数、热膨胀系数、化学性质等)、沉积条件及基片预处理对金刚石膜成核与生长特性的影响。实验结果表明,在六种不同性质的材料上都能生长多晶金刚石膜,与是否形成碳化物中间层无关。反应气压、衬底温度和CH_4/H_2比例对其形貌、质量、成核密度的影响趋势是一致的,但也有它们各自的特点。对提高金刚石膜的质量及膜与基片的结合强度提出了一些改进措施。
- 邱东江石成儒曾耀武郝天亮庞国锋
- 关键词：金刚石膜成核化学气相沉积镀膜衬底
- 强电子流增强化学气相沉积法生长金刚石膜
- 1992年
- 金刚石具有许多优异特性,掺杂后可成为半导体.常规的高温高压合成方法难于成膜,特别是很难控制掺杂的深度分布和产生适合制作器件的良好结构.近年来迅速发展了多种低压气相金刚石膜生长技术,在低压(≤1atm)和低温(1000℃)下制成了金刚石多晶膜.但是,各种方法都存在不少问题:难于获得大面积,均匀的膜,膜表面粗糙,膜内存在大量的缺陷,与基体结合差等.限制了它在电子、光学、机械等领域的应用.为了解决这些困难,我们正在研究发展一种强电子流增强化学气相沉积(HECVD)制备金刚石膜技术.
- 石成儒庞国锋徐月明邱东江
- 关键词：金刚石膜化学气相沉积
