宁锦华
- 作品数：10 被引量：17H指数：3
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- 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器
- 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形...
- 李永富龚海梅李雪唐恒敬张可锋李淘宁锦华张燕朱耀明姜佩璐
- 文献传递
- InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究
- 2009年
- 采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺。利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器,峰值探测率为1.04×1012cmHz1/2W-1。
- 宁锦华唐恒敬张可锋李淘李永富李雪龚海梅
- 关键词：感应耦合等离子体INGAASPIN探测器
- InGaAs台面探测器的AlN钝化研究被引量：1
- 2009年
- 首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λc=2.4μm)。探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP外延材料。由于台面型器件的裸露面积较大,特别是台面的成形工艺所带来的侧面损伤,加大了光生载流子的表面复合,使器件的暗电流、噪声等性能急剧下降。采用新的AlN钝化工艺,制备了8元正照射台面InGaAs探测器,室温下(T=300K)电压为-0.5V时,探测器的暗电流(ID)约为9×10-8A,优值因子(R0A)大于30Ωcm2,通过与其他钝化工艺所制备的器件的性能进行分析对比得出:AlN能有效地改善器件的表面状态,减小表面复合,从而降低了暗电流,提高了探测器的性能。
- 张可锋李淘唐恒敬李永富宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器ALN钝化层暗电流
- 平面型2．6μmInGaAs红外探测器变温特性研究被引量：5
- 2009年
- 通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109cmHz1/2/W。
- 李永富唐恒敬张可峰李淘宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：隧穿电流暗电流
- 短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
- 由于InGaAs短波红外探测器具有可以室温工作、探测率高等优点，InGaAs线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的InGaAs探测器制备的台面成型工艺展开研究，重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(...
- 宁锦华
- 关键词：铟镓砷磷化铟感应耦合等离子体刻蚀
- 空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文)被引量：8
- 2009年
- 介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。
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- 关键词：INGAAS红外探测器
- 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
- 本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在p－InGaAs/p－InP/i－InGaAs/n－InP外延片上刻蚀形成p－InGaAs/p－InP/i－InGaAs微台面，InGaAs吸收层厚度设计为1...
- 唐恒敬张可锋吴小利朱慧宁锦华李淘汪洋李雪李永富龚海梅
- 文献传递
- 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器
- 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形...
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- 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
- 本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP外延片上刻蚀形成p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs微台面，InGaAs吸收层厚度设计为1...
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- InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究被引量：3
- 2009年
- 对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面积的大小是影响台面型InGaAs光伏探测器p+-n--n+结结区特性的主要因素之一。
- 张可锋唐恒敬李淘李永富宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器暗电流噪声
