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孙佳佳

作品数:9 被引量:3H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 2篇等位
  • 2篇电极
  • 2篇电流
  • 2篇电阻率
  • 2篇读取方法
  • 2篇预估方法
  • 2篇阵列
  • 2篇现场可编程
  • 2篇现场可编程门...
  • 2篇灵敏放大器
  • 2篇门阵列
  • 2篇介质层
  • 2篇可编程门阵列
  • 2篇硅片
  • 2篇恒定电流
  • 2篇反熔丝
  • 2篇分压
  • 2篇辐射环境
  • 2篇编程
  • 2篇MOS器件

机构

  • 7篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 9篇孙佳佳
  • 4篇杨大为
  • 2篇袁方
  • 2篇林洪春
  • 2篇陆虹
  • 2篇王增智
  • 2篇景欣
  • 2篇孙轶君
  • 2篇王佳宁
  • 1篇牛英山
  • 1篇赵庆哲
  • 1篇刘财坤

传媒

  • 3篇微处理机

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
高速缓存单元原理及设计实现
2014年
Cache是一种容量小、速度快的存储器阵列,位于主存和CPU内核之间,保存着最近一段时间处理器涉及到的主存块内容。为了改善系统性能,CPU尽可能从Cache中读取数据,减小慢速存储器给CPU内核造成的存储器访问瓶颈问题的影响。
孙佳佳刘财坤
关键词:高速缓存处理器主存
在IC设计中应用STA处理时序问题的方法被引量:1
2014年
当代数字IC的设计规模和复杂性在不断增加,验证工作也越来越困难,特别是静态时序分析在此背景下变得尤为重要。目前业界普遍采用自动化的设计方式,通过应用工具软件,来对设计时序进行分析。主要探讨了在IC设计当中对于时序违例的一些处理方法。
孙佳佳赵庆哲
关键词:数字IC静态时序分析
电荷俘获型存储单元的读取方法
本发明提出一种电荷俘获型存储单元的读取方法,包括:为电荷俘获型存储单元中的待测晶体管提供一个对应的补偿晶体管,补偿晶体管与待测晶体管的参数相同,将补偿晶体管的栅极、源极和衬底接地,并将补偿晶体管的漏极分别连接到一个电流源...
陆虹孙轶君王佳宁景欣孙佳佳袁方
文献传递
提高MOS器件击穿电压的方法及MOS器件
本申请提供了一种MOS器件,包括硅片基体,设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环,其中,所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。另外,本发明还提供了一种提高MOS器件击穿电压的方法。本...
林洪春杨大为孙佳佳王增智樊吉涛
文献传递
存储单元的读取方法
本发明提出一种存储单元的读取方法,包括:为存储单元中的待测晶体管提供一个对应的补偿晶体管,补偿晶体管与待测晶体管的参数相同,将补偿晶体管的栅极、源极和衬底接地,并将补偿晶体管的漏极分别连接到一个电流源和电流-电压转换电路...
陆虹孙轶君王佳宁景欣孙佳佳袁方
用Verilog HDL进行可综合RTL设计概述被引量:2
2009年
VerilogHDL是一种很流行的硬件描述语言,不仅用于可综合RTL描述,包括组合逻辑描述和时序逻辑描述,还可用于层次化设计,广泛应用于集成电路设计领域。在使用过程中,为了约束RTL设计工程师的行为,还行成了RTL代码风格。
牛英山孙佳佳
关键词:硬件描述语言
反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法
本发明公开了一种反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法。该方法包括:将用于承载反熔丝现场可编程门阵列的晶元划分为多个区域;在所述多个区域内分别植入多个测试用反熔丝器件;对所述测试用反熔丝器件的上电极和下电极施加测试电压...
杨大为孙佳佳
文献传递
反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法
本发明公开了一种反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法。该方法包括:将用于承载反熔丝现场可编程门阵列的晶元划分为多个区域;在所述多个区域内分别植入多个测试用反熔丝器件;对所述测试用反熔丝器件的上电极和下电极施加测试电压...
杨大为孙佳佳
MOS器件
本申请提供了一种MOS器件,包括硅片基体,设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环,其中,所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。本申请只需设置第一分压环和第二分压环,并通过将第一分压环...
林洪春杨大为孙佳佳王增智樊吉涛
文献传递
共1页<1>
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