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夏超

作品数：41 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中科院创新基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 10篇SOI
  • 9篇介质
  • 8篇介质薄膜
  • 7篇光刻
  • 6篇漂移
  • 6篇离子注入
  • 6篇金属
  • 6篇ESD保护
  • 5篇掩膜
  • 5篇光刻胶
  • 5篇保护器件
  • 4篇岛状
  • 4篇电荷
  • 4篇电荷平衡
  • 4篇电压
  • 4篇端方
  • 4篇掩膜版
  • 4篇氧化物薄膜
  • 4篇栅极
  • 4篇界面层

机构

  • 41篇中国科学院
  • 1篇温州大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 41篇夏超
  • 41篇俞跃辉
  • 41篇程新红
  • 39篇王中健
  • 35篇徐大伟
  • 21篇曹铎
  • 15篇贾婷婷
  • 13篇宋朝瑞
  • 13篇何大伟
  • 9篇郑理
  • 8篇张有为
  • 4篇沈玲燕
  • 3篇王谦
  • 2篇王中建
  • 2篇张有为
  • 1篇万里

传媒

  • 2篇2011’全...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 12篇2012
  • 10篇2011
  • 1篇2010
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法
本发明提供一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
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SOI高压功率器件的制备方法
本发明提供的SOI高压功率器件的制备方法，其首先在SOI基板表面的部分区域形成第一氧化层，再去除所述第一氧化层以便形成凹陷区，然后在凹陷区形成第二氧化层，以便使第二氧化层的表面与SOI基板表面保持平齐，再在已形成第二氧化...
程新红王中健俞跃辉何大伟徐大伟夏超
石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供了一种石墨烯纳米带的制备方法，涉及半导体材料的制备领域。在该制备方法中，首先在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层，在该过渡金属薄膜层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层并对其烘干后，藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光...
程新红张有为徐大伟王中健夏超俞跃辉
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石墨烯基场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有石墨烯层，所述石墨烯层未经功能化处理；利用在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为成核层；利用所...
程新红张有为徐大伟王中建夏超何大伟俞跃辉
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一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
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基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质...
程新红徐大伟王中健夏超曹铎宋朝瑞俞跃辉
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一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法
本发明提供一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法，所述的内嵌多N岛P沟道超结器件包括：半导体衬底，形成在所述半导体衬底上的P型漂移区，位于所述P型漂移区一侧的N型体区，以及位于所述P型漂移区另一侧上的P型漏区，其中，所...
程新红王中健徐大伟夏超曹铎贾婷婷宋朝瑞俞跃辉
基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质...
程新红徐大伟王中健夏超曹铎宋朝瑞俞跃辉
一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法
本发明公开了一种基于图形化的SOIESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：底层衬底；位于所述底层衬底上的绝缘埋层；位于所述绝缘埋层上的有源区；以及穿过所述绝缘埋层连接所述有源区与底层衬底的导通栓；其中，所述有源...
程新红夏超王中健俞跃辉何大伟徐大伟
一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
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