刘峥嵘
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善被引量：3
- 2009年
- 用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。
- 康朝阳赵朝阳刘峥嵘孙柏唐军徐彭寿谢家纯
- 关键词：ZNO薄膜SI(111)衬底光电性能
- 不同衬底材料的ZnO/Si异质结I-V及光电特性被引量：5
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含Mn0.2%)/Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO/SiC/Si和ZnO(含Mn0.2%)/SiC/Si结构,测试了样品的XRD曲线、I-V特性曲线和P-E(光电响应)特性曲线.结果发现ZnO/n-Si结有很低的反向暗电流,SiC缓冲层能提高反向击穿电压,ZnO/p-Si(p+)异质结能有较强的光电响应,ZnO/n-Si(n-)更适合作为大波段区间的光探测器.还发现波长470,480,490nm处类似于声子伴线的光谱结构.
- 刘峥嵘谢家纯郭俊福李雪白赵朝阳刘文齐傅竹西
- 关键词：ZNO脉冲激光沉积深能级
- ZnO/Si异质结特性研究
- 宽带隙(WBG)半导体材料ZnO具有禁带宽、激子能量大、高化学稳定性和热稳定性等特点，使得目前高质量ZnO材料和器件的制备成为国际上的研究热点之一。ZnO在气体传感器、太阳能电池、紫外光电探测及激光器等许多领域具有广阔的...
- 刘峥嵘
- 关键词：宽带隙半导体材料
- 文献传递
