高卓
- 作品数：5 被引量：10H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
- 2004年
- 通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.
- 高卓胡跃辉朱秀红马占杰周怀恩陈光华
- 关键词：氢化非晶硅薄膜光敏性
- 氢化非晶硅薄膜红外透射谱与氢含量被引量：10
- 2004年
- 研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法，分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因．理论推导及实验结果表明，若将SiH2和(SiH2)。含量大小用结构因子F=(I840+I880)I2000来表示，则在F值较小的情况下，薄膜折射率接近3．4或拟合厚度值d=0.71-0．89μm时，两种计算方法得到的氢含量很接近．研究还发现，制备工艺对薄膜的键结构及组分有很大的影响，不同的制备方法薄膜中形成的SiH2和(SiH2)n含量不同，F值大的样品均匀性差(表现为这些样品实测厚度值与拟合厚度值有较大的差异)；同时在这种情况下，两种方法计算得到它们的氢含量值相差较大，但CAT CVD辅助MWECR CVD制备方法，能有效地抑制SiH2和(SiH2)n的形成。
- 胡跃辉陈光华吴越颖阴生毅高卓王青宋雪梅邓金祥
- 关键词：氢化非晶硅薄膜氢含量红外透射谱
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变...
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词：A-SI:H薄膜热丝光敏性
- 文献传递
- 热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
- 2004年
- 我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
- 吴越颖胡跃辉阴生毅荣延栋王青高卓李瀛宋雪梅陈光华
- 关键词：A-SI:H薄膜热丝光敏性
- MW-ECR CVD制备a-Si:H薄膜的光电特性研究
- 氢化非晶硅薄膜(a-Si：H)已经被广泛应用于太阳能电池、薄膜晶体管(TFT)、大面积显示技术等半导体器件领域。但在光照条件下发现材料的光电特性会发生明显光致衰退(该现象又称为光诱导亚稳效应SWE)却严重地限制了其应用和...
- 高卓
- 关键词：氢化非晶硅薄膜化学气相沉积A-SI:H
- 文献传递
