金剑华
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：云南省应用基础研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 高亮度小型液态金属Ga离子源被引量：1
- 1991年
- 本文介绍高亮度小型液态金属Ga离子源。本源在5.5kV的引出电压下总发射电流可达250μA,发射阈值电压低至1kV(发射体针尖到引出极膜孔中心的距离固定在2mm左右)。在1.33×10^(-6)Pa的真空度下测量源的发射特性,并对Taylor锥发射模型作了初步探讨。通过对发射体基底尖端进行特殊的铬合处理,可有效地增大发射电流,提高发射稳定性。整个系统封装在直径为55mm的玻壳内;发射体尖端与引出极间距离采用一特殊柄在0.5～5mm范围内在管外调节。
- 金剑华任一涛林恩慈杨春城
- 关键词：液态金属镓离子源阈值电压LMIS
- 超薄芯片Backend工艺分析及失效研究
- 最近几年，超薄芯片已成为半导体工业的一种关键技术。它有助于开发诸如智能卡和视频识别(RFID)器件等技术，并已成为在最新型的移动电话、个人数字助理(PDA)和其他小型、轻便且功能强大的电子设备中日趋流行的堆栈式芯片封装的...
- 金剑华
- 关键词：共晶
- 文献传递
- 高亮度液金属Ga离子源聚焦Ga离子束的获得以及金属在Ga离子作用下的次级效应
- 金剑华
- 低阈值电压高束流Ga离子源的研制
- 1993年
- 本文提出了改进型液态镓离子源发射体的制作方法,使制成的发射体尖端曲率半径小于0.4μm,成功率超过90％。通过时发射体特殊络合处理,增大离子源的发射电流和稳定性。降低发射阈值电压。在总引出电压为5.5 kV时,总发射束流可达250μA,阈值电压降至1 kV左右。适当选择加热温度改进和提高镓离子源的发射状态,提高离子源的性能。
- 任一涛金剑华林恩慈
- 关键词：阈值电压温度效应离子源
- 离子在金属及介质表面感生的二次电子发射
- 本文综述了离子二次（次级）电子发射理论。应用近期理论分别计算出H、D、H、D四种离子（3kev-100kev）作用于M、TiD、AlO的二次电子发射系数（次级电子产额）γ（E）理论曲线,并与有关的实验结果进行了比较。讨论...
- 杨春城金剑华
- 关键词：二次电子发射原子序数
- 文献传递
