郭等柱
- 作品数：50 被引量：44H指数：4
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院电子学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程电子电信更多>>
- 一种氧化锌铁电薄膜的制备方法
- 本发明提供了一种氧化锌铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.清洗锌片，除去锌片表层的氧化物并使之平整；b.以0.3～0.5摩尔/升的氢氧化锂水溶液作为电解液，阳极氧化锌片；c.取出锌片，用去离子水冲洗干净，在锌片表面获得...
- 于利刚张耿民栾桂东张金铎郭等柱
- 文献传递
- 基于阳极键合工艺的微型气室封装
- 微型气室的制作是微型原子钟和微磁力计等器件研制中不可或缺的关键技术。国际上只有为数不多的一些研究机构在从事这方面研究工作,国内目前还没有相关研究报道。我们课题组承担了863项目的相关课题,在微型气室的制作方面开展了探索性...
- 焦洁苏娟郭等柱张耿民汪中
- 关键词：阳极键合封装原子钟
- 磁控溅射防锈MoS_2薄膜沉积工艺研究被引量：3
- 2002年
- 介绍了磁控溅射制备防锈MoS2薄膜的沉积工艺,同时对影响膜层性能的几个因素进行了初步的探讨,并且制备了防锈性能优良的MoS2薄膜样品。
- 陈焘郭等柱万志华白芝芳
- 关键词：磁控溅射MOS2薄膜二硫化钼固体润滑剂
- 一种具有三维中空结构的硅及其制备方法
- 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维中空结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行...
- 奚中和吴越张耿民崔宏宇郭等柱
- 文献传递
- 掺杂Sb_2O_3/Au对MoS_2溅射膜抗氧化性能的影响被引量：6
- 2000年
- 利用 X射线光电子能谱仪 (XPS)对 MoS2溅射膜掺杂 Sb2O3/Au的抗氧化性能进行了研究。结果表明， Sb2O3/Au使得 MoS2溅射膜的结构变得更为致密。同时还改变了 MoSx的化学计量配比，增强了 MoS2溅射膜的抗氧化性能。通过掺杂的 MoS2溅射膜的初始氧化以及在潮湿环境中的氧化只发生在膜表面的 2～ 3个分子层，使得内层被保护得相当好。掺杂是解决 MoS2溅射膜氧化问题的一种行之有效的方法。
- 陈焘郭等柱万志华白芝芳
- 关键词：掺杂抗氧化性能固体润滑剂
- 具有三维中空结构的硅及其制备方法
- 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋...
- 奚中和吴越张耿民崔宏宇郭等柱
- 文献传递
- 用于飞行时间质谱计的场发射电离源
- 本发明一种于飞行时间质谱计的场发射电离源，针对热灯丝发射电子碰撞电离源存在热灯丝高能耗、高温热脱附、不能微型化等问题，提出的技术方案为：采用刀刃涂覆纳米材料或直接采用纳米材料涂覆于平面电极作为冷阴极发射体，阳极为狭缝结构...
- 郭等柱胡秋宁
- 文献传递
- 低能电子点源显微镜的研制及初步实验结果
- 研制了一台集低能电子点源显微镜和场发射显微镜于一体的设备。研制的过程中,解决了包括超高真空的获得,外界振动的隔离,爬行器及其控制电路的设计,场发射电流-电压自动测量,超高真空换样等一系列问题。利用该设备,获得了放大倍数大...
- 柏鑫肖桂里于洁张兆祥郭等柱赵兴钰薛增泉张耿民
- 关键词：场发射显微镜场发射特性
- 文献传递
- 纳米电子学
- 2003年
- 在比较三代电子器件的基础上，说明纳电子器件是电子器件发展的新一代，它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应，与真空电子器件、微电子器件相比，纳电子器件在信号加工中的主要特性有：(1)单电子，(2)保有相位，(3)量子电阻(h／e^2)，(4)量子字节(qubit)，(5)普适电导涨落．电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管，目前纳电子三极管有两种模式：纳米点三极管和碳纳米管三极管，文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性。
- 薛增泉张琦锋宋教花郭等柱梁学磊申志勇陈清高崧张耿民赵兴钰刘惟敏彭练矛吴锦雷吴全德
- 关键词：纳米电子学单电子碳纳米管碳纳米管
- 氧化锌纳米线阵列的场发射及其失效机理研究
- 使用热蒸发的方法在黄铜和硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列。得到了三种不同纳米结构:连续分布的纳米线薄膜、草丛状的纳米线阵列以及从锌微米球上直接生长的海胆状纳米线阵列。使用透明阳极技术观察了其场发射中心的...
- 肖竞张耿民于利刚柏鑫郭等柱赵兴钰
- 文献传递
