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郝晓敏

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：国防科技工业技术基础科研项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氢闸流管
  • 2篇脉冲源
  • 1篇低抖动
  • 1篇电路
  • 1篇电路结构
  • 1篇脉冲
  • 1篇高压脉冲
  • 1篇高压脉冲源

机构

  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 2篇郝晓敏
  • 2篇王欣
  • 2篇陈敏德
  • 1篇曾文富
  • 1篇唐丹

传媒

  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
低抖动纳秒级前沿的氢闸流管高压脉冲源被引量：5
2004年
　试验用功率MOSFET驱动氢闸流管,做成幅度可达15kV、前沿小于10ns、抖动低于1ns的高压纳秒级前沿脉冲源。简要介绍了脉冲源的电路结构,着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热电压、触发脉冲幅度、前沿和延迟几方面测量分析了其对脉冲源输出特性的影响。
郝晓敏唐丹陈敏德王欣
关键词：氢闸流管高压脉冲源低抖动
氢闸流管高压快脉冲源设计与实现
氢闸流管广泛应用于万伏以上的高速高压脉冲源领域,实验中采用一种氢闸流管作为主开关,做成幅度达26kV、前沿小于15ns、晃动低于2ns的高压快脉冲源。本文简要介绍了氢闸流管的结构、开关基理以及脉冲源的电路结构等,对氢闸流...
王欣曾文富陈敏德郝晓敏
关键词：氢闸流管电路结构
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