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邢雯
作品数:
21
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H指数:2
供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
胡晓宁
中国科学院上海技术物理研究所
林春
中国科学院上海技术物理研究所
丁瑞军
中国科学院上海技术物理研究所
叶振华
中国科学院上海技术物理研究所
何力
中国科学院上海技术物理研究所
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作者
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邢雯
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胡晓宁
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林春
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何力
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碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法
本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法,它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元...
叶振华
黄建
杨建荣
尹文婷
邢雯
林春
陈兴国
胡晓宁
丁瑞军
何力
一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法
本发明公开了一种集成有增透膜的光伏型碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法,该方法可以在保持碲镉汞红外焦平面模块结构的情况下,采用磁控溅射制备方法,通过工艺参数优化,低温生长了在特定的工作波段3.5~5um具有良好的增透射特性...
廖清君
邢雯
胡晓宁
一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法
本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极,该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面,利用薄膜生长...
廖清君
胡晓宁
马伟平
邢雯
陈昱
林春
王建新
一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法
本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极,该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面,利用薄膜生长...
廖清君
胡晓宁
马伟平
邢雯
陈昱
林春
王建新
文献传递
一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器
本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器,它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音...
叶振华
陆伟
黄建
邢雯
刘丹
冯靖文
林春
胡晓宁
丁瑞军
何力
一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法
本发明公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层,掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层,掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止,从而可以方便地...
叶振华
陈奕宇
孙常鸿
刘棱枫
邢雯
马伟平
林春
胡晓宁
丁瑞军
何力
文献传递
一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片
本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n<Sup>+</Sup>-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片,它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料...
叶振华
胡伟达
殷建军
吴廷琪
晨昱
邢雯
林春
胡晓宁
丁瑞军
何力
文献传递
一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜
本专利公开了一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜。掩膜的生长方法采用磁控溅射生长硫化锌牺牲层以及二氧化硅掩膜层,掩膜的成形采用电感耦合等离子体技术。通过加入牺牲层,掩膜刻蚀会自动于牺牲层停止,从而可以方便地控制掩膜刻蚀...
叶振华
陈奕宇
孙常鸿
刘棱枫
邢雯
马伟平
林春
胡晓宁
丁瑞军
何力
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一种光电二极管n区结构优化的碲镉汞长波探测芯片
本发明公开了一种光电二极管n区结构优化的离子注入n<Sup>+</Sup>-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外长波(long-wavelength)光伏探测芯片,它涉及光电探测器件技术。本发明采用光电二极管n区由通过离...
叶振华
王建新
潘建珍
邢雯
刘丹
陈昱
林春
胡晓宁
丁瑞军
何力
文献传递
一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器
本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器,它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音...
叶振华
陆伟
黄建
邢雯
刘丹
冯靖文
林春
胡晓宁
丁瑞军
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