许福军
- 作品数：110 被引量：18H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法及检测系统
- 本发明公开了一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外...
- 王新强沈波张琦贺小伟许福军尹春明杨志坚张国义
- 文献传递
- 一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用
- 本发明涉及III族氮化物半导体制备技术领域，具体涉及一种电子浓度高、电阻率低，且具有原子级平整的表面形貌的n型AlGaN的制备方法。所述n型AlGaN的制备方法包括两个关键步骤，一是增大蓝宝石衬底的斜切角，二是降低n‑A...
- 许福军王嘉铭沈波 郎婧康香宁
- 基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管
- 2024年
- 通过分离多量子垒电子阻挡层(EBL)结构,实现了AlGaN基DUV-LED器件性能的提升。由仿真结果可得,与传统的块状EBL相比,采用分离多量子垒结构的EBL可以获得更高的空穴浓度和辐射复合速率。这得益于EBL中间的夹层形成了空穴加速区,使得空穴在加速区获得能量,从而提高了空穴注入效率。另外,多量子势垒结构还能够通过提高电子势垒有效抑制电子泄漏,从而大幅度提升器件性能。综上所述,多量子垒电子阻挡层的引入可以显著提升AlGaN基DUV-LED器件的性能。
- 申国文鲁麟许福军许福军吕琛代广珍
- 关键词：ALGAN电子阻挡层
- AlN插入层厚度对Al0.25Ga0.75N/GaN异质结肖特基接触反向漏电的影响
- AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电会造成AlxGa1-xN/GaN...
- 黄森沈波马楠许福军林芳苗振林宋杰鲁麟桑立雯秦志新
- 关键词：二维电子气反向漏电异质结
- 文献传递
- 一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
- 本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO<Sub>2</Sub>层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO<Sub>2</Sub>衬底上；对单晶石墨烯表...
- 杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
- 文献传递
- 高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质被引量：1
- 2007年
- 采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断('pop-in')行为,并且发现'pop-in'行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的'pop-in'行为随Al组分增加而减少.
- 许福军沈波王茂俊许谏苗振林杨志坚秦志新张国义蔺冰白树林
- 关键词：杨氏模量力学性质塑性形变
- 一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器的多量子阱为包含多个周期的复合势垒和势阱，其中，复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构；通过极化调制的方法形成平带势垒，平带势垒以上...
- 王新强荣新沈波陈广郑显通王平许福军张国义
- 文献传递
- 格匹配InAlN/GaN异质结构中2DEG的温度滞回现象
- 桑玲杨学林程建朋贾利芳何志郭磊胡安琪许福军唐宁王新强葛惟昆沈波
- 高迁移率AlxGa1-xN/GaN异质结构材料生长研究
- AlGaN/GaN异质结构材料在微波功率器件应用和二维电子气(2DEG)物理性质研究方面有重要价值。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,重点研究了AIN插入层厚度对AlGaN/GaN势垒层晶体质量的影响,确...
- 许福军沈波苗振林宋杰黄呈橙杨志坚张国义
- 关键词：MOCVD
- 文献传递
- AlN MOCVD外延生长表面台阶聚并的控制
- 通过对AlN表面台阶聚并行为进行深入研究,发现AlN表面台阶聚并行为与Ⅴ/Ⅲ比以及三甲基铝(TMA)的流量有着密切的联系.实验中,进一步控制Ⅴ/Ⅲ比以及TMA的流量,最终获得了原子级平整的表面.实验以NH3和TMA作为生...
- 张立胜王嘉铭何晨光王明星许福军沈波
- 关键词：氮化铝薄膜流量控制
