许中杰
- 作品数：38 被引量：54H指数：4
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：湖南省研究生科研创新项目国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 一种快速超高分辨瞬态吸收光谱测量装置及测量方法
- 本发明公开了一种快速超高分辨瞬态吸收光谱测量装置及测量方法。测试装置包括：锁模光纤光梳系统，用于产生泵浦光、探测光和本振光；光功率放大单元，用于对锁模光纤光梳系统输出的泵浦光、探测光和本振光的光脉冲进行功率放大；非线性变...
- 江天殷科李思维邓清辉许中杰郑鑫韦可郝昊
- 文献传递
- 强光辐照下面阵探测器响应特性全流程仿真框架研究
- 2017年
- 光电探测器的强光辐照效应是受到较多关注的物理问题之一。文中以红外面阵探测器为例,介绍了一种光电探测器强光响应特性的全流程仿真框架。框架包括光在光学系统中的传播、焦平面上的热传导和光电输运,以及后处理电路对光电流的处理及图像输出等多个物理过程。笔者试图通过接口的设计减小各个过程之间的耦合,以便适应不同物理过程的不同模型。文中给出了一些简单的仿真结果,重现了在之前的研究中发现的非常规响应现象。
- 许中杰程湘爱程湘爱苗锡奎江天陈效双
- 关键词：光电探测器强光响应特性
- 一种同时测量光学元件反射透射畸变差的方法及装置
- 一种同时测量光学元件反射透射畸变差的方法及装置，探测光源入射至第一半透半反镜，第一半透半反镜与待测样品平行，经第一半透半反镜透射出的透射光作为探测光，探测光入射至待测样品，经过待测样品后分为反射光和透射光，反射光和透射光...
- 韩凯许中杰刘泽琳崔文达黄汉长宋长青
- 文献传递
- 一种同时测量光学元件反射透射畸变差的方法及装置
- 一种同时测量光学元件反射透射畸变差的方法及装置，探测光源入射至第一半透半反镜，第一半透半反镜与待测样品平行，经第一半透半反镜透射出的透射光作为探测光，探测光入射至待测样品，经过待测样品后分为反射光和透射光，反射光和透射光...
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- 一种精确调节和稳定锁模光纤激光器重复频率的方法
- 一种精确调节和稳定锁模光纤激光器重复频率的方法，通过光纤剪切、光纤拉锥和控制模块控制三者结合，可以将锁模光纤激光器的重复频率精确调节和稳定至目标重复频率。所述方法使得锁模光纤激光器的重复频率精确调节的效率高且适用对象受限...
- 江天邓清辉殷科张馨宋登辉许中杰
- 文献传递
- 激光焦点定位系统及将材料定位于激光焦点处的方法
- 本发明公开了一种激光焦点定位系统，包括激光器、会聚透镜和材料平移装置，激光器输出的激光束入射到会聚透镜上，经聚焦后入射到材料平移装置上装夹的光学材料表面，激光束经聚焦后产生等离子体亮点，该亮点通过光学材料表面形成一亮点镜...
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- 大角度偏转收发一体光纤准直器
- 大角度偏转收发一体光纤准直器，包括相机、中央挡光镜、双色镜、准直透镜以及旋转双棱镜，光纤输出激光传输至双色镜，经双色镜反射出的激光输出至准直透镜准直为平行光后作为发射光经旋转双棱镜发射至目标，来自目标的目标散射/反射光作...
- 马阎星何锋许中杰陈景春杨家忠喻湘荣周朴司磊许晓军陈金宝
- 文献传递
- 线阵碲镉汞探测器致损单元反常响应机理研究
- 2016年
- 用1 064nm皮秒脉冲激光辐照PV型线阵HgCdTe探测器,随着激光能量的增大,探测单元出现了不同程度的损伤,发现了致损单元的反常响应现象,致损单元响区蓝移,对波长为1 064nm的光响应灵敏度明显增强。结果表明:受损单元p型碲镉汞层出现汞析出现象后,受损光敏元碲镉汞材料组分和载流子浓度发生变化,pn结耗尽层宽度的变化导致pn结等效电阻变化,这是导致芯片损伤单元出现反常响应的主要因素。研究发现受损光敏元随着碲镉汞材料组分增大,碲镉汞材料能带禁带宽度增大,使探测器响区出现蓝移现象,这是损伤单元对波长为1 064nm激光响应更加灵敏的主要原因。
- 杨海峰王睿邱伟成王毕艺许中杰程湘爱
- 关键词：禁带宽度
- 红外成像系统中串扰效应的研究现状与进展被引量：4
- 2015年
- 在红外成像系统中,串扰会降低图像的清晰度,影响焦平面阵列的分辨率性能和成像质量,因此对串扰的测试及产生机理等研究至关重要。对比了串扰效应的3种测试原理和测试方法,从光学串扰和电学串扰两个方面揭示了串扰效应的产生机理,综述了两种串扰类型的解决方案,并对未来红外成像器件的发展趋势进行展望,以期为改进相关器件的技术、结构和制造工艺提供有益的借鉴。
- 龙弯王睿许中杰
- 关键词：成像系统红外串扰
- 连续激光与单脉冲纳秒激光对CMOS的损伤效应被引量：11
- 2014年
- 针对前照式有源型可见光互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,开展了1080nm连续激光与1064nm单脉冲ns激光损伤效应的对比研究,观察到了CMOS出现点损伤、半边黑线损伤与十字交叉黑线损伤三个典型的硬损伤阶段,并分析了损伤机理。在连续激光辐照下,损伤效应主要是热效应的影响。当辐照时间小于稳态时间时,辐照时间越长,损伤阈值越低,当辐照时间大于稳态时间时,损伤阈值趋于稳定值。对损伤后的CMOS器件的微观结构进行了显微观察,结合CMOS电路结构深入分析了各种典型实验现象的损伤机理,半边黑线损伤与十字交叉黑线损伤主要是不同层金属线路熔断导致信号断路。在单脉冲ns激光作用下,CMOS像元表面的硬损伤主要是激光加热作用和等离子体冲击波作用引起的。
- 王昂郭锋朱志武许中杰程湘爱
- 关键词：单脉冲热效应
