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蔡瑞仁

作品数：3 被引量：4H指数：2
供职机构：中国科学技术大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇速度过冲
  • 2篇基区渡越时间
  • 2篇SIGE_H...
  • 1篇电子温度
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇锗硅
  • 1篇锗硅异质结双...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇能量平衡
  • 1篇晶体管
  • 1篇SIGEC
  • 1篇HBT
  • 1篇SIGE

机构

  • 3篇中国科学技术...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇蔡瑞仁
  • 2篇李垚
  • 1篇刘嵘侃

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SiGe HBT器件建模和仿真
本论文介绍了SiGe材料和器件特性、电路相对于Si器件和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的优越性。介绍了SiGe HBT的能带结构以及Ge的引入对能带结构的影响，回顾了SiGe HBT的发展历史，介绍了发展的现状和应用领域。 ...
蔡瑞仁
关键词：基区渡越时间能量平衡速度过冲
文献传递
SiGe和SiGeC HBT速度过冲模型被引量：2
2007年
建立了超薄基区Si Ge和Si GeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge的分布对Si Ge BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布比梯形分布的速度大。梯形分布的Si Ge HBT基区也发生速度过冲。Si GeC HBT速度过冲现象与Si Ge HBT相似。
蔡瑞仁李垚
关键词：速度过冲电子温度SIGEHBTSIGECHBT
超薄基区SiGe HBT基区渡越时间能量传输模型被引量：3
2006年
通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带变窄效应及速度饱和效应。比较了用能量传模型与漂移扩散模型计算的截止频率,利用器件模拟软件ATLAS进行了模拟,结果与能量传输模型计算结果吻合。
蔡瑞仁李垚刘嵘侃
关键词：锗硅异质结双极晶体管基区渡越时间
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