董艳锋
- 作品数：29 被引量：75H指数：5
- 供职机构：曲阜师范大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术石油与天然气工程更多>>
- 退火温度对PLD法制备ZnO:Eu^(3+),Li^+薄膜结构和发光性质的影响被引量：2
- 2012年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜,分别在450,500,550和600℃条件下进行退火,退火气氛为真空。利用X射线衍射(XRD)仪和荧光分光光度计研究了退火温度对薄膜结构和光致发光(PL)的影响。研究结果表明,Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,Eu3+,Li+没有单独形成结晶的氧化物,均以离子形式掺入ZnO晶格中。PL谱中有较宽的ZnO基质缺陷发光,ZnO基质与稀土Eu3+之间存在能量传递,但没有有效的能量传递。随着退火温度的增加,薄膜发光先增强后减弱,退火温度为550℃时发光最强。当用395 nm的激发光激发样品时,仅观察到稀土Eu3+在594 nm附近的特征发光峰,但发光强度随退火温度变化不明显。
- 董艳锋李清山张立春宋连科
- 关键词：脉冲激光沉积
- 一种Flash存储器的数据存取方法
- 本发明公开一种Flash存储器的数据存取方法，所述Flash存储器重新规划分为根存储区、子存储区池和数据存储区，子存储区池包括1个以上的子存储区。所述存取方法包括根存储区操作、子存储区操作及数据存储区操作；其中根存储区操...
- 田海峰董艳锋
- 多孔铝纳米列阵模板的形成及其机理分析被引量：5
- 2002年
- 利用阳极氧化法可以制备出高度有序的多孔铝纳米列阵模板 .该文介绍了目前流行的制备模板的方法及对它的形成机理的不同解释 。
- 董艳锋李清山
- 关键词：多孔铝阳极氧化法纳米材料
- 多孔硅的形成与理论分析被引量：15
- 2002年
- 综述了多孔硅的形成机制 ,并分别对用n_Si和
- 王清涛李清山董艳锋冀会辉
- 关键词：多孔硅阳极氧化
- 8-羟基喹啉铝在多孔铝中的发光研究被引量：2
- 2003年
- 利用多孔铝非常高的孔隙率,将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到Alq3/多孔铝镶嵌膜,研究了不同条件下制备的多孔铝镶嵌膜的荧光光谱。实验表明,Alq3在多孔铝中的发光峰位在490 nm左右,比其在固态粉末状态蓝移了许多。Alq3/多孔铝镶嵌膜的发光特性与多孔铝中嵌入Alq3分子的数量及聚集程度有关。当分子数量较多、聚集程度较大时,发光增强,光谱峰位红移,但聚集程度太大时,易发生荧光猝灭现象。数量较多时,由于Alq3分子大多以范德瓦尔斯力结合,聚体较少,所以峰位移动幅度不大。实验中还发现,Alq3因为处在小孔中,光学性质稳定,荧光光谱带宽超过100 nm,比一般染料大得多,这使Alq3/多孔铝镶嵌膜有可能在固体可调谐激光器方面得到新的应用;同时也为探究Alq3/多孔铝镶嵌膜在电致发光器件中的发光特性奠定了基础,为将其进一步推向实用提供了实验依据。
- 董艳锋李清山王菲菲
- 关键词：8-羟基喹啉铝多孔铝发光光致发光光谱孔隙率
- 氧分压对ZnO:Eu^(3+),Li^+薄膜结构和光学性质的影响被引量：1
- 2015年
- 利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备了ZnO:Eu^(3+),Li+薄膜,分别通过XRD谱和光致发光(PL)谱测试研究了氧分压不同时薄膜结构和发光性质。XRD谱研究表明,所有样品均仅出现ZnO基质的(002)衍射峰,说明Eu^(3+)已进入ZnO基质晶格,没有单独形成结晶氧化物。PL谱研究表明,当用325 nm的光激发样品时,样品的发光仅由ZnO基质的紫外发光和绿光发射组成,没有出现稀土Eu^(3+)的特征发光峰。当用395 nm的光激发样品时,在594和613 nm处出现两个明显的Eu^(3+)特征发光峰,分别属于Eu^(3+)的磁偶极跃迁(~5D_0→~7F_1)和电偶极跃迁(~5D_0→~7F_2),而且随着氧压的增加,594 nm处的发光峰强度变化不大,但613 nm处的发光峰强度明显增强。
- 董艳锋李清山
- 关键词：脉冲激光沉积XRD光致发光
- I^2C串行总线存储技术在单片机系统中的应用被引量：1
- 2007年
- 介绍I2C串行总线原理及AT24CXX系列串行EEPROM的特点。着重阐述了利用I2C串行总线和AT24CXX系列串行EEPROM实现数据存储的技术,并给出了该技术在MCS51系列单片机系统中的实现方法。
- 董艳锋田海峰秦文华赵建平
- 关键词：I^2C串行总线串行EEPROM单片机
- 制备条件对含铜阳极氧化铝复合薄膜偏振特性的影响
- 2009年
- 利用多孔阳极氧化铝(PAA)的纳米列阵结构,将金属铜电镀到氧化铝的孔中,得到含有金属铜纳米列阵阳极氧化铝(Cu/PAA)膜。实验中发现,Cu/PAA膜的偏振特性与电镀条件有关。在一定的范围内,随着电镀时间和电流密度的增加,消光比增大。电镀溶液的温度也是影响Cu/PAA膜消光比的一个很重要的因素,在电镀溶液温度相对较高的情况下,电流密度相对较小时也可以获得相对较高的消光比。通过优化电镀条件可获得高效率的Cu/PAA膜微偏振器。这种电化学方法制备的微偏振器,制备工艺简单,尺寸可控,便于实现产业化,有广泛的应用前景。
- 董艳锋李清山田海峰吴福全
- 关键词：多孔阳极氧化铝电镀消光比
- 氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响被引量：2
- 2011年
- 为了研究生长氧压对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响,采用脉冲激光沉积技术,在P-Si〈11〉衬底上制备了不同生长氧压下的掺铜ZnO薄膜。利用X射线衍射仪对样品的结构进行了分析,并用荧光分光光度计对样品的光致发光谱进行了测量。结果表明,所有样品均在2θ=34.3°附近出现ZnO(002)衍射峰,没有发现Cu的衍射峰,在衬底温度为400℃、生长氧压为0.2Pa的条件下,样品有较好的c轴择优取向;室温下测得样品的光致发光谱中均观察到460nm(2.71eV)左右的蓝光发光带,该发光带来源于薄膜中的锌空位和锌填隙缺陷,属于深能级发射机制,并且随着氧压的升高,其发光强度增强。
- 赵涛李清山董艳锋张立春解晓君
- 关键词：脉冲激光沉积光致发光
- 多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响
- 本文研究了多孔硅的制备条件,对其制备方法、表面形态、发生特性以及发光机理等方面的性能进行深入研究,对其影响因素进行了重点分析.
- 王晓静李清山董艳锋王菲菲王桂珍
- 关键词：多孔硅光致发光特性电阻率
- 文献传递
