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王晓东

作品数:2 被引量:6H指数:1
供职机构:中国人民武装警察部队学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市科技新星计划高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电学性能
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻效应
  • 1篇应力
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇扫描探针显微...
  • 1篇砷化镓
  • 1篇铜互连
  • 1篇铜互连线
  • 1篇显微结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇互连
  • 1篇互连线
  • 1篇AFM
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇北京工业大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国人民武装...
  • 1篇昆士兰大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 2篇王晓东
  • 1篇张泽
  • 1篇李志国
  • 1篇钟涛兴
  • 1篇吉元
  • 1篇韩晓东
  • 1篇郑坤
  • 1篇夏洋
  • 1篇高攀
  • 1篇廖志明

传媒

  • 2篇电子显微学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2003
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究被引量:5
2015年
在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖,使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流-电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时,纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变,其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加,GaAs纳米线的电导率增加了55%,这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。
高攀王疆靖王晓东廖志明邵瑞文郑坤韩晓东张泽
关键词:压阻效应电导率
Cu互连线显微结构和应力的AFM及SNAM分析(英文)被引量:1
2003年
在ULSI中采用Cu互连线代替Al以增加电子器件的传输速度和提高器件的可靠性。Cu的激活能约为 1 2eV ,而Al的激活能约为 0 7eV。Cu互连线寿命约为Al的 3~ 5倍。Cu大马士革互连线的制备工艺为 :在硅衬底上热氧化生成的SiO2 上开出凹槽 ,在凹槽中先后沉积阻挡层Ta和晶种层Cu ,然后由电镀的Cu层将凹槽填满。最后采用化学机械抛光将凹槽外多余的Cu研磨掉。Cu互连线的尺寸为 :2 0 0 μm长 ,0 5 μm厚 ,宽度分别为 0 3 5、0 5、1至 3 μm不等。部分样品分别在 2 0 0℃ ,3 0 0℃和 45 0℃下经过 3 0min退火。利用原子力显微镜 (AFM)和扫描近场声学显微镜 (SNAM) ,同时获得形貌像和声像 ,分析了Cu大马士革凹槽构造引起的机械应力和沉积引起的热应力对Cu互连线显微结构及可靠性的影响。SNAM是在Topometrix公司AFM基础上建造的实验装置 ,实验采用的机械振动频率在 60 0Hz~ 10 0kHz之间。分析测试结果如下 :1.AFM和SNAM可以实现对微米和亚微米特征尺寸的Cu互连线的局域应力分布和显微结构的原位分析。2 .采用AFM、TEM、XRD观察和测试了Cu互连线的晶体结构 ,分析了大马士革凹槽工艺对Cu晶粒尺寸及取向的影响。平坦的沉积态Cu膜的晶粒尺寸约为 10 0nm ;而由大马士革工艺制备的凹槽中的Cu互连线的晶粒尺寸约为 70?
吉元钟涛兴李志国王晓东夏洋BALK L JLIU Xiao-xiaALTES A
关键词:显微结构应力AFM铜互连线扫描探针显微镜原子力显微镜
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