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王新河

作品数:14 被引量:0H指数:0
供职机构:北京航空航天大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇刻蚀
  • 4篇等离子体刻蚀
  • 4篇信号
  • 3篇网络
  • 2篇调幅
  • 2篇调幅信号
  • 2篇预设
  • 2篇噪声
  • 2篇上升沿
  • 2篇数据检测
  • 2篇爬虫
  • 2篇爬虫系统
  • 2篇中心节点
  • 2篇网络信息
  • 2篇微球
  • 2篇脉冲
  • 2篇均匀度
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇混频
  • 2篇减薄

机构

  • 14篇北京航空航天...

作者

  • 14篇王新河
  • 7篇林晓阳
  • 3篇尹科
  • 3篇王丽华
  • 3篇王宝会
  • 3篇于雷

传媒

  • 1篇集成电路与嵌...

年份

  • 1篇2025
  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇2016
  • 2篇2013
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
刻蚀终点检测方法及装置
本发明提供一种刻蚀终点检测方法及装置,该刻蚀终点检测方法包括:通过电源调制信号对刻蚀电源信号进行调幅得到刻蚀调幅信号;获取光谱仪采集的基于等离子体刻蚀样品生成的光谱信号;其中,等离子体由刻蚀工艺系统基于刻蚀调幅信号加载生...
常晓阳王新河林晓阳 赵巍胜
一种分布式网络爬虫系统
一种分布式网络爬虫系统,适用于网络信息采集领域,包括:管理门户、中心节点服务器、分布式子节点服务器;管理门户是爬虫系统对管理员提供的Web接口,能够查看中心节点服务器和分布式子节点服务器的日志,设置添加主题,更新某个主题...
王宝会于雷王丽华王新河尹科
锗硅异质结双极型晶体管的历史发展及其在高温电子中的应用
2025年
近年来,锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)不仅在高频性能上取得了显著成就,而且在高温电子器件的应用中也展现了独特的优势。本文阐述了SiGe HBT的发展历程及其在高温环境(100~300℃)中的应用潜力。目前最高性能的SiGe HBT的特征频率达500 GHz、最大振荡频率达700 GHz,展示了该技术在高频下的卓越性能。除此之外,SiGe HBT成功地与22 nm全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)技术集成,形成双极型互补式金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺,不仅支持极高的工作频率,还允许低成本地将先进制程的数字电路与高频收发器单片集成,为车载雷达、卫星通信、安全成像等毫米波和太赫兹频段的应用开辟了新路径。特别值得注意的是,SiGe HBT在高温条件下表现出低漏电流、高电流增益及成本效益的优势,使其成为高温电子应用的理想选择,展示了在极端环境下持续可靠运行的巨大潜力。
官宇龙常晓阳王新河
关键词:SICGAN
一种分布式网络爬虫系统
一种分布式网络爬虫系统,适用于网络信息采集领域,包括:管理门户、中心节点服务器、分布式子节点服务器;管理门户是爬虫系统对管理员提供的Web接口,能够查看中心节点服务器和分布式子节点服务器的日志,设置添加主题,更新某个主题...
王宝会于雷王丽华王新河尹科
刻蚀终点检测方法及装置
本发明提供一种刻蚀终点检测方法及装置,该刻蚀终点检测方法包括:根据刻蚀终点层获取刻蚀终点元素和刻蚀中间元素;根据刻蚀中间元素的当前元素浓度时间曲线的刻蚀峰在预设的采集位置采集刻蚀终点元素的当前元素浓度时间曲线;根据刻蚀终...
林晓阳王新河 常晓阳 李燊 赵巍胜
刻蚀终点检测方法及装置
本发明提供一种刻蚀终点检测方法及装置,该刻蚀终点检测方法包括:通过电源调制信号对刻蚀电源信号进行调幅得到刻蚀调幅信号;获取光谱仪采集的基于等离子体刻蚀样品生成的光谱信号;其中,等离子体由刻蚀工艺系统基于刻蚀调幅信号加载生...
常晓阳王新河林晓阳 赵巍胜
刻蚀终点检测方法及装置
本发明提供一种刻蚀终点检测方法及装置,该刻蚀终点检测方法包括:根据刻蚀脉冲信号的上升沿、光谱仪积分时间和光谱仪信号确定正向光谱积分数据;根据刻蚀脉冲信号的下降沿、光谱仪积分时间和光谱仪信号确定负向光谱积分数据;根据正向光...
常晓阳王新河林晓阳 赵巍胜
刻蚀气体监测系统及气体状态分析方法
本发明提供一种刻蚀气体监测系统及气体状态分析方法。该系统包括:信号光源光梳、本振光源光梳、导光模块、等离子体刻蚀腔室、第一信号采集装置、参考臂和气体状态分析装置;导光模块将信号光源光梳发出的信号光和本振光源光梳发出的本振...
戴星灿王新河林晓阳常晓阳赵巍胜
一种薄膜乳化装置及其制作方法
本申请提供一种薄膜乳化装置及其制作方法。薄膜乳化装置用于制作离散相微球,包括薄膜,具有多个通孔结构,用以通过离散相;其中所述薄膜包括第一光刻胶层和第二光刻胶层,所述通孔结构包括设于所述第一光刻胶层上的第一通孔以及设于所述...
雷蕾王新河
刻蚀终点检测方法及装置
本发明提供一种刻蚀终点检测方法及装置,该刻蚀终点检测方法包括:根据刻蚀终点层获取刻蚀终点元素和刻蚀中间元素;根据刻蚀中间元素的当前元素浓度时间曲线的刻蚀峰在预设的采集位置采集刻蚀终点元素的当前元素浓度时间曲线;根据刻蚀终...
林晓阳王新河常晓阳李燊赵巍胜
共2页<12>
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