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王岩

作品数:20 被引量:90H指数:5
供职机构:南开大学电子信息与光学工程学院现代光学研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划天津市科技支撑重点项目国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学机械工程电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 7篇机械工程
  • 6篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 6篇微晶硅
  • 4篇光稳定性
  • 3篇电池
  • 3篇毒品
  • 3篇血清
  • 3篇延迟发光
  • 3篇太阳电池
  • 3篇稳定性
  • 3篇检测血清
  • 3篇光谱
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇英文
  • 2篇微晶硅薄膜
  • 2篇光诱导
  • 2篇发光
  • 2篇发光技术
  • 2篇PECVD
  • 2篇RF-PEC...
  • 2篇VHF-PE...
  • 2篇冰毒

机构

  • 20篇南开大学
  • 4篇河北工业大学
  • 2篇首都医科大学...
  • 2篇天津市公安局
  • 1篇教育部
  • 1篇光电信息技术...
  • 1篇天津市光电子...

作者

  • 20篇王岩
  • 8篇林列
  • 8篇陈平
  • 6篇刘伟伟
  • 6篇赵颖
  • 6篇耿新华
  • 5篇韩晓艳
  • 4篇朱锋
  • 4篇孙建
  • 3篇张光寅
  • 3篇张晓丹
  • 3篇薛俊明
  • 3篇魏长春
  • 3篇侯国付
  • 3篇黄自恒
  • 3篇任慧志
  • 3篇刘宏德
  • 3篇陈绍林
  • 3篇孔勇发
  • 3篇阎文博

传媒

  • 5篇光电子.激光
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇警察技术
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2006
  • 6篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
掺镁铌酸锂晶体抗光折变微观机理研究被引量:23
2003年
研究了掺镁掺铁铌酸锂晶体的紫外、可见及红外光谱 ,首次发现当掺镁量超过通常所说的阈值 (第一阀值 )时 ,Fe3+ 离子和部分Fe2 + 离子的晶格占位由锂位变为铌位 ,但仍有部分Fe2 + 离子留在锂位 .晶体缺陷化学分析表明 ,继续增加掺镁量 ,占锂位的Fe2 + 离子数将逐渐减少 ;当掺镁量达到另一个适当的值 (第二阀值 )时 ,全部Fe2 + 都占铌位 ,晶体的抗光折变能力空前提高 ,这种现象称作双阈值效应 .
孔勇发李兵陈云琳黄自恒陈绍林张玲刘士国许京军阎文博刘宏德王岩谢翔张万林张光寅
关键词:掺镁铌酸锂晶体吸收光谱
用于检测血清中毒品的频率选择表面的设计被引量:1
2019年
本文基于频率选择表面(Frequency Selective Surface,FSS)的空间滤波性能设计了一个响应频带在可见光及更短波段的带阻型频率选择表面,用于血清中冰毒的检测。结合已有的设计经验和仿真测试结果提出了双屏方环FSS单元结构,通过为其设定适当的结构参数初步实现了600~1 000 THz的阻带。在此基础上分析了影响频率选择表面传输性能的各项参数,分析了方环尺寸大小、中间介质层厚度、介质层介电常数等对FSS传输性能的影响;基于此,综合考虑各项参数的影响,利用仿真软件HFSS进行了多次仿真求解,得到最优情况下的方环外边长为120 nm,内边长为100 nm,单元周期为140 nm,介质厚度为60 nm,金属贴片为厚度10 nm的银,介质层材料为介电常数是2.08的Neltec NY9208。所得到的最优情况下的FSS单元结构阻带为500-1 000 THz,带内透射率可达到5%以下,通带为1 000-1 600 THz,带内透射率可达到90%以上,可以实现滤除血清自身荧光信号的设计目标。
胡超王岩陈平史卓群刘伟伟林列
关键词:毒品频率选择表面血清
微晶硅薄膜太阳电池光稳定性研究
本文利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验.通过对比白光光照前后电池开路电压Voc和Raman谱的变化,结果发现光照前后微晶硅薄膜的微结构几乎没有...
韩晓艳王岩赵书文薛俊明耿新华李养贤
关键词:VHF-PECVD光稳定性
文献传递
高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料(英文)
2005年
本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果。实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变。通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料。将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能。
侯国付郭群超王岩薛俊明任慧志宋建张晓丹赵颖耿新华李以钢
关键词:微晶硅太阳电池
甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究被引量:15
2005年
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 .
张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春魏长春孙建王岩熊绍珍
关键词:微晶硅薄膜太阳电池
P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用被引量:4
2005年
采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加。将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/A l,厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc=0.520V,Jsc=21.33mA/cm2,FF=64.74%)。
朱锋魏长春张晓丹高艳涛孙建王岩韩晓艳赵颖耿新华
关键词:微晶硅太阳电池
微晶硅薄膜太阳电池光稳定性研究
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并对其进行了光照老化实验。通过对比白光和红光两种光源照射下电池I-V特性的变化,发现白光照射后的高晶化电池衰退率只有5...
韩晓艳王岩薛俊明任慧志赵颖李养贤耿新华
关键词:VHF-PECVD光稳定性
文献传递
微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱
2005年
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶 硅薄膜材料。光发射谱(OES)测量技术对等离子体辉光进行在线监测、分析,能够对等离子体中的生成物进行 判别。实验表明,随着硅烷浓度的增加,等离子体中SiH*、Hβ*、Hα*和H2*缓慢增大,而Hα*/SiH*单调下降; 随着辉光功率的增大,Hα*迅速增大,而SiH*、Hβ*和H2*趋于饱和,Hα*/SiH*单调上升;等离子体的辉光强度 主要跟SiH、Hβ*和H2*数量成正比。
朱锋赵颖魏长春孙建王岩宋红耿新华
关键词:RF-PECVD微晶硅OES等离子体
器件质量级微晶硅薄膜光稳定性研究被引量:8
2006年
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过改变SiH4浓度制备了一系列不同晶化率(Xc)的本征Si薄膜材料。通过测量其Raman谱和光、暗电导率(σph、σd)研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微观结构的关系,然后对样品进行老化实验,测量其光照前后的吸收系数α及量子效率、迁移率和寿命的乘积nμτ。分析其光照前后光电性能的变化规律结果表明,相变域附近的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料适合制备μc-Si:H太阳电池;结合退火实验的结果发现,μc-Si∶H材料中的非晶成分是导致微晶材料光电特性衰退的主要原因。
韩晓艳王岩薛俊明赵书文任慧志赵颖李养贤耿新华
关键词:稳定性
光诱导延迟发光技术检测血清中的微量冰毒
2016年
光学技术具有灵敏度高、所需样品量少、不与样品直接接触、无需对样品进行前处理、检测过程简单快速等优势,将光诱导延迟发光技术用于检测血清中的微量冰毒,这为毒品检测提供了一种新的方法。
张凯阮世超杨若晨王岩林列陈平
关键词:血清
共2页<12>
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