李艳炯
- 作品数：10 被引量：36H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：重庆市科技攻关计划国家教育部“211”工程教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- In掺杂ZnO透明导电薄膜光电性质的研究被引量：5
- 2009年
- 采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致密平整;由于In3+替代了Zn2+,提供了大量的剩余电子,使薄膜的导电性质得到了很大的提高,所得薄膜的最小电阻率为4.3×10-3Ω.cm。制备的ZnO薄膜在可见光范围的透过率达到了85%,In的掺杂对透光率的影响不大。
- 方亮彭丽萍杨小飞李艳炯孔春阳
- 关键词：透明导电光电性质磁控溅射
- 基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备
- 2016年
- 对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器。
- 叶嗣荣周勋李艳炯申志辉
- 关键词：GAN背照式
- AlxGa1-xN的MOCVD外延生长及日盲p-i-n型焦平面阵列探测器的研制
- 第三代半导体GaN与AlN合成的AlxGa1-xN三元合金晶体材料随着Al组分的变化其禁带宽度不但变化范围大(3.4eV～6.2Ev)且连续可调，对应吸收光的波段在200～365nm之间连续变化，其中探测波段在240～2...
- 李艳炯
- 关键词：MOCVD设备
- 文献传递
- 蓝宝石上AlN基板的MOCVD外延生长被引量：3
- 2010年
- 结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线FWHM分别为37″和712″。详细论述了AlN基板的生长模式、位错行为和应力释放途径。
- 李艳炯方亮赵红赵文伯周勇杨晓波周勋
- 关键词：ALN基板MOCVD原子力显微镜X射线衍射
- 大功率LED封装用散热铝基板的制备与性能研究被引量：19
- 2011年
- 通过正交试验分析了阳极氧化法制备LED封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参数制备了阳极氧化铝基板,将LED分别封装在自制基板和深圳光恒光电公司提供的铝基板上,检测温度与时间变化的关系,结果表明,自制散热铝基板性能更优。
- 方亮钟前刚何建刘高斌李艳炯郭培
- 关键词：LED铝基板阳极氧化热阻厚度
- 应用厚缓冲层实现蓝宝石上高质量AlN外延层的MOCVD生长
- 2015年
- 在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层位错密度的减少和应力的释放。用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明所生长外延层表面无裂纹,并显示出清晰的阶梯流表面形貌,其平均粗糙度为0.160nm,KOH腐蚀坑密度为5.8×108 cm-2,(0002)和(10-12)回摆曲线FWHM分别为210″和396″。详细论述了AlN外延层的生长模式、位错行为和应力释放途径。
- 李艳炯赵红赵文伯叶嗣荣杨晓波
- 关键词：ALNMOCVD原子力显微镜X射线衍射
- 多模光纤耦合InGaAsP/InP单光子探测器模块被引量：1
- 2021年
- 针对1064nm波段高灵敏激光测距应用,设计了一种由单光子雪崩光电二极管(SPAD)、微型热电制冷器(TEC)、主动淬灭主动恢复电路(AQAR)、温控单元、高压单元、FPGA等混合集成的高性能单光子探测器模块。SPAD芯片采用了分离吸收渐变电荷倍增(SAGCM)的InGaAsP/InP材料结构设计,内部电场分布经Matlab软件仿真,结果显示该结构具有良好的增益特性。SPAD芯片通过TEC制冷保持低温工作来降低暗计数以抑制器件的噪声。低延迟AQAR由高速比较器与宽带放大器构成,淬灭时间约为1.2ns,有效减少了后脉冲效应。测试结果表明,在-30℃,探测效率为30.2%下,暗计数率仅为1.9kHz,在死时间为0.8μs时,后脉冲为10.4%。通过集成化设计的单光子探测器模块具有探测效率高和暗计数率低的优势,能够满足小型化激光测距应用需求。
- 崔大健张承赵江林敖天宏李艳炯严银林
- 关键词：激光测距
- AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究被引量：2
- 2018年
- 结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。
- 赵文伯叶嗣荣赵红罗木昌周勋杨晓波陈扬李艳炯申志辉柳聪
- 关键词：焦平面阵列
- 高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究被引量：1
- 2014年
- 利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。
- 赵文伯许华胜申志辉叶嗣荣周勋李艳炯黄烈云
- 关键词：抑制比背照式
- 背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计被引量：5
- 2013年
- 高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。
- 赵文伯周勋李艳炯申志辉罗木昌
- 关键词：ALGAN
