李晓峰 作品数:11 被引量:35 H指数:4 供职机构: 中国科学院西安光学精密机械研究所 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 机械工程 更多>>
第三代像增强器研究 微光夜视仪的出现使人们的视觉从白昼延伸到了黑夜.微光液视仪在军事上的特殊用途径使得人们对微光夜视仪核心器件——微光像增强器——的研究到目前为止仍在进行.在微光夜视仪出现的近半个世纪里,微光像增强器的研究取得的长足的进展.... 李晓峰关键词:像增强器 光电阴极 微通道板 GAAS 衍射 晶格 文献传递 透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析 被引量:1 2002年 研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:ALGAAS 光电阴极 砷化镓 镓铝砷化合物 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究 2002年 利用透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的结构特点及其 X射线衍射摇摆曲线分析方法 ,解释了 Al Ga As/ Ga 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:ALGAAS X射线衍射 光电阴极 镓铝砷化合物 摇摆曲线 三代管MCP离子阻挡膜研究 被引量:11 2001年 三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的表面 Cs- O层 ,使阴极的灵敏度衰退 .所以在 MCP的输入端制作一层 Al2 O3 离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用 .本文介绍了 MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理 ,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺 . 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:MCP 光电阴极 离子阻挡膜 砷化镓 AL2O3 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层内应力的种类及其表征与测量 被引量:7 2002年 本文介绍了透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射外延层内应力的种类及其表征方法和测量方法 。 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:GAAS/ALGAAS 光电阴极 砷化镓 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线半峰宽研究 被引量:4 2002年 本文研究了晶体 X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系 ,外延层之间 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:ALGAAS/GAAS X射线衍射 光电阴极 砷化镓 外延层 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究 被引量:1 2002年 本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的实测倒易点二维图 ,最后提出了降低 Al Ga As/ Ga 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:热应力 半导体 透射式GAAS光电阴极 砷化镓 镓铝砷化合物 X射线衍射 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究 2002年 本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:透射式GAAS光电阴极 X射线衍射 MOCVD 镓铝砷化合物 砷化镓 透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射研究 2002年 本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布 ,阐明了 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射层界面应变状况的 X射线衍射的分析方法 ,最后给出了实例 . 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:GAAS/ALGAAS 驰豫 光电阴极 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析 被引量:4 2002年 本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 . 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵关键词:ALGAAS/GAAS X射线衍射 光电阴极 砷化镓 透射式GAAS光电阴极 镓铝砷化合物