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李云

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇击穿
  • 1篇击穿电压
  • 1篇GA
  • 1篇GAAS表面
  • 1篇MESFET
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇张利民
  • 1篇李云
  • 1篇李岚
  • 1篇张绵

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
相关度排序
GaAs表面Ga、As的比对GaAs MESFET击穿电压的影响被引量：1
2004年
通过用XPS分析GaAs MESFET肖特基势垒制作前后的表面情况,发现GaAs表面Ga、As的比,对GaAs MESFET击穿电压有着明显的影响, 表面Ga、As比的明显偏离将导致击穿电压的下降。分析了GaAs表面Ga、As比偏离的原因,提出了改进的方法。
李云张利民李岚张绵
关键词：GAASMESFET击穿
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