徐娜军
- 作品数：8 被引量：25H指数：3
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法
- 本发明涉及空间总剂量效应，具体涉及基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，用于解决现有电子系统总剂量效应试验方法不能完全保证电子系统抗总剂量性能评价的可靠性及准确性的不足之处。该基于终点对齐辐照的空间电子系统总...
- 姚志斌陈伟盛江坤何宝平马武英郭晓强徐娜军李斌
- 文献传递
- BF_2^+注入加固硅栅PMOSFET的研究被引量：9
- 1999年
- 系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明，ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用，ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ，分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ
- 张廷庆刘家璐李建军王剑屏张正选徐娜军赵元富胡浴红
- 关键词：PMOSFETMOS器件离子注入硅栅
- 基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法
- 本发明涉及空间总剂量效应，具体涉及基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，用于解决现有电子系统总剂量效应试验方法不能完全保证电子系统抗总剂量性能评价的可靠性及准确性的不足之处。该基于终点对齐辐照的空间电子系统总...
- 姚志斌陈伟盛江坤何宝平马武英郭晓强徐娜军李斌
- 低剂量率下MOS器件的辐照效应被引量：7
- 2002年
- 对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生电场 ,增强了辐照产生电子 -空穴对的分离 ,同时 ,影响了正电荷 (包括空穴和氢离子 )的运动状态 ;此外 ,偏置对退火同样有促进作用。
- 刘传洋张廷庆刘家璐王剑屏黄智徐娜军何宝平彭宏论姚育娟王宝成
- 关键词：MOS器件辐照效应阈值电压漂移低剂量率
- 基于图像相关的地下核爆炸遥感监测研究
- 本文运用图像相关技术,对地下核试验前后爆心区域的地表变化程度及其规律性进行了定量化的数值统计分析;提出了基于图像相关性变异检测的技术方案;理论和实践证明。应用相关比检测函数具有良好的普适性和稳定性.该模型方法较好地解决了...
- 严卫东徐娜军
- 关键词：核试验图像相关
- 文献传递
- 辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法
- 本发明提供了一种辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法，充分考虑到电子系统与底层器件失效判据不同的实际状况，通过逐一辐照电子系统中底层器件并进行概率合成以评价整个电子系统单粒子效应敏感性，解决了现有系统级单粒...
- 丁李利陈伟郭晓强张凤祁王坦潘霄宇徐娜军李斌
- 文献传递
- 低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应被引量：14
- 2001年
- 对金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究 .对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较 .结果表明 ,低剂量率辐照下 ,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响 ,辐照时间越长 ,生成的氢离子越多 ,感生界面态密度越大 ;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关 ,低温辐照时 。
- 张廷庆刘传洋刘家璐王剑屏黄智徐娜军何宝平彭宏论姚育娟
- 关键词：辐照效应阈值电压漂移低剂量率界面态MOS器件
- 辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法
- 本发明提供了一种辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法，充分考虑到电子系统与底层器件失效判据不同的实际状况，通过逐一辐照电子系统中底层器件并进行概率合成以评价整个电子系统单粒子效应敏感性，解决了现有系统级单粒...
- 丁李利陈伟郭晓强张凤祁王坦潘霄宇徐娜军李斌
- 文献传递
