张波
- 作品数：45 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺文化科学更多>>
- 一种绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
- 本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi<Sub>2</Sub>，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插...
- 张波俞文杰赵清太狄增峰张苗王曦
- 文献传递
- 高锡含量锗锡合金和镍反应的形貌研究被引量：2
- 2015年
- 本文详细研究了高锡含量锗锡合金(Ge_(0.92)Sn_(0.08))与镍在退火条件下的反应。通过表层电阻测试、原子力显微镜和透射电镜等表征手段,我们分别研究了镍锗锡材料在300℃、400℃、500℃温度下退火后的表面和界面形貌。研究表明:与镍和锗反应相比,镍和锗锡材料反应生成的镍锗锡薄膜热稳定性变差,退火温度400℃后镍锗锡薄膜表层电阻就迅速增加,样品表面变得不连续,团聚为平均长度200nm左右的岛状晶粒,样品表面和界面与电学性质都遭到了破坏。
- 孟骁然平云霞常永伟魏星俞文杰薛忠营狄增峰张苗张波
- 关键词：镍热稳定性
- 一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法
- 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底...
- 张波侯春雷孟骁然狄增峰张苗
- 文献传递
- 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法
- 本发明公开了一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜，然后进行退火工艺，使NiAl合金薄膜的Ni原子与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。...
- 张苗张波薛忠营王曦
- 文献传递
- 美国技术转移政策的要点及借鉴被引量：6
- 2020年
- 美国已经建立起完善的转移技术体系,包括联邦政府与地方技术转移的治理结构、各联邦组成部门的技术转移战略、行动计划以及概念验证中心、技术转移中心等组织体系的设立。梳理了美国技术转移政策的发展历程、构成体系、典型制度,分析了美国技术转移政策的要点,对中国技术转移具体工作的开展提出了对策建议。
- 李玲娟蒋能倬张波
- 关键词：美国科技政策技术转移
- 一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
- 本发明提供一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi<Sub>2</Sub>，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅...
- 俞文杰张波赵清太狄增峰张苗王曦
- 文献传递
- 一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法
- 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底...
- 张波侯春雷孟骁然狄增峰张苗
- 文献传递
- 微波退火条件下镍和锗锡合金反应的形貌研究
- 2021年
- 为了研究高质量镍锗锡薄膜的制备方法,在不同微波退火温度下进行了锗锡合金与镍的固相反应。借助四探针方块电阻测试、原子力显微镜、透射电子显微镜、能量色散X射线光谱等表征手段,分析了在微波退火条件下100~350℃所生成镍锗锡化物样品的形貌。研究结果表明:镍锗锡化物的表层电阻、表面粗糙度及薄膜质量与微波退火温度紧密相关,在250℃退火条件下得到了连续平整的镍锗锡薄膜,锡偏析在镍锗锡/锗锡的界面;在350℃退火条件下,薄膜的连续性遭到破坏,表面粗糙度变大,锡偏析在样品的表面和镍锗锡/锗锡的界面。与常规快速热退火方式相比,本文采用的微波退火方式,可在相对更低的温度得到高质量的镍锗锡薄膜,降低了镍与锗锡衬底反应所需的热预算。
- 刘伟平云霞杨俊张波
- 关键词：表面形貌镍
- 微波退火和快速热退火下钛调制镍与锗锡反应
- 2021年
- 本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响.研究结果表明:在微波退火300℃、快速热退火350℃条件下,可以形成连续平整的镍锗锡薄膜.通过进一步分析镍锗锡薄膜的元素分布,发现1 nm钛插入层发生"层转移"现象,钛在镍与锗锡合金反应后分布在样品的表面,由"插入层"变为"盖帽层";而锡元素因受到金属钛的调制作用,主要分布在镍锗锡薄膜/锗锡衬底的界面.
- 刘伟平云霞杨俊薛忠营魏星武爱民俞文杰张波
- 关键词：快速热退火
- 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
- 本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi<Sub>2</Sub>，通过...
- 张波俞文杰赵清太狄增峰张苗王曦
- 文献传递
