张匡吉
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- Ge纳米点/非晶Si多层异质薄膜的金属Ni横向诱导晶化
- 利用LPCVD方法在SiO/Si(100)衬底上生长了高密度Ge/a-Si量子点多层结构。然后在低温下(低于550℃),利用金属Ni 诱导结构中的非晶Si 横向结晶(MILC)。通过对薄膜的光学显微镜,透射电镜(TEM)...
- 鄢波施毅张匡吉濮林韩平张荣郑有炓
- 文献传递
- Ge纳米点/Si多层异质薄膜制备特性研究
- Ge／Si量子点体系在单电子器件、光电子器件以及热电器件等方面具有极为广阔的应用前景,尽管有关研究工作已经取得了很大的发展,但在高质量材料制备方面依然面临着很多的难题。本文报道了一种结合低压化学气相沉积(LPCVD)和金...
- 施毅鄢波张匡吉张轶群叶敏华濮林张荣郑有炓
- 文献传递
- 金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性
- 2006年
- 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结晶制备出高质量的Ge/Si量子点超晶格结构.通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明,与单一aSi系统的金属Ni诱导相似,该多层结构中的各αSi层退火后也具有(110)择优取向,同时晶粒的直径较大,约在4～5μm左右.Ge点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形成高质量的晶态Si与Ge纳米点界面.
- 鄢波张匡吉施毅濮林韩平张荣郑有炓
- 关键词：金属诱导横向结晶
- 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法
- 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法，在硅晶片、二氧化硅、氮化硅，玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上；采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a－Si膜，所述的化学气相沉积包括在约450－5...
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- 文献传递
- 锗硅量子点结构薄膜的金属诱导晶化特征研究
- 十几年来半导体低维结构的发展，各类自组织生长的半导体量子点结构已成为信息科学领域中一个十分活跃的研究分支。勿庸置疑，量子点自组织生长研究，不仅有力地促进了低维物理的深入研究，而且还具有广阔的应用前景。与此同时，由于人们对...
- 张匡吉
- 关键词：半导体薄膜金属诱导晶化
