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张之圣

作品数:131 被引量:467H指数:12
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市科技攻关项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 72篇期刊文章
  • 44篇专利
  • 9篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 19篇一般工业技术
  • 15篇自动化与计算...
  • 14篇理学
  • 11篇电气工程
  • 10篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 33篇纳米
  • 23篇电阻
  • 20篇溅射
  • 17篇电阻器
  • 17篇金属
  • 16篇铁电
  • 15篇感器
  • 15篇传感
  • 15篇传感器
  • 14篇树脂
  • 14篇铁电薄膜
  • 14篇金属膜电阻器
  • 14篇膜电阻器
  • 12篇电阻炉
  • 12篇一维纳米
  • 12篇一维纳米材料
  • 12篇维纳米材料
  • 12篇箱式电阻炉
  • 12篇纳米材料
  • 12篇金属盐

机构

  • 129篇天津大学
  • 2篇山东大学
  • 1篇中国石油化工...

作者

  • 129篇张之圣
  • 59篇胡明
  • 35篇刘志刚
  • 29篇王秀宇
  • 25篇李海燕
  • 20篇邹强
  • 16篇李玲霞
  • 15篇王慧
  • 15篇李付奎
  • 15篇白天
  • 15篇倪恒侃
  • 15篇薛涛
  • 12篇何凯
  • 11篇樊攀峰
  • 9篇王文生
  • 9篇秦玉香
  • 9篇李晓云
  • 8篇白花珍
  • 7篇田斌
  • 6篇邹强

传媒

  • 14篇压电与声光
  • 5篇天津大学学报...
  • 4篇仪器仪表学报
  • 4篇无机材料学报
  • 4篇电子元件与材...
  • 3篇硅酸盐通报
  • 3篇硅酸盐学报
  • 3篇中国仪器仪表...
  • 2篇Journa...
  • 2篇电子测量技术
  • 2篇电子学报
  • 2篇电子科技大学...
  • 2篇功能材料
  • 2篇仪表技术与传...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇宇航材料工艺
  • 2篇天津大学学报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇电子技术应用

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2012
  • 6篇2011
  • 8篇2010
  • 19篇2009
  • 2篇2008
  • 11篇2007
  • 20篇2006
  • 9篇2005
  • 8篇2004
  • 8篇2003
  • 9篇2002
  • 4篇2001
  • 2篇2000
  • 7篇1999
  • 2篇1998
  • 5篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1991
131 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磁阻元件的理论基础及旋转传感器被引量:3
1996年
本文论述了磁阻元件的理论基础,介绍了旋转传感器的工作原理与结构设计,给出了测试结果和应用前景。
张之圣刘志刚胡明王文生王聪修
关键词:磁阻元件旋转传感器磁阻半导体
高稳定薄膜固定电阻器磁控溅射中高阻靶材
张之圣祖光裕李本德胡明王家生刘志刚李晓云李海燕
靶材光滑平整无缺陷,尺寸382×128×14mm3;薄膜电阻器的阻值范围100Ω-30KΩ(未刻槽);TCR<28ppm/℃;高温储存实验,155℃,1000h,△R≤0.4203%R;寿命试验△R≤0.1706%R;耐...
关键词:
关键词:固定电阻器磁控溅射
耐高温、耐高湿涂料用于金属膜电阻器的封装工艺方法
本发明涉及一种耐高温、耐高湿涂料用于金属膜电阻器的封装工艺方法。使用通用的链式电阻器自动涂覆型封装线,金属膜电阻器进行第一次封装后进入第一个140℃加热槽内进行预固化2min,再进入第二个170℃加热槽或190℃加热槽内...
王秀宇张之圣白天
文献传递
Pt薄膜热敏电阻工艺研究被引量:13
2002年
本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。
温宇峰祖光裕胡明张之圣刘志刚
关键词:磁控溅射基片电阻温度系数
液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO_3薄膜被引量:1
2003年
研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3~ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0~ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 。
张之圣曾建平胡明李小图
关键词:X射线衍射
高介电陶瓷Ag_(0.9)A_(0.1)(Nb_(0.8)Ta_(0.2))O_3(A=Li,Na,K)的研究被引量:1
2005年
采用传统的固相合成法制备了Ag(Nb0.8Ta0.2)O3(ANT)和Ag0.9A0.1(Nb0.8Ta0.2)O3(A=Li,Na,K)样品,并通过X射线衍射,扫描电镜和Raman光谱等手段对样品进行了表征。研究了Li+,Na+,K+取代Ag(Nb0.8Ta0.2)O3中的少量Ag+(摩尔比10%)对其介电性能的影响。结果表明:由于Li+,K+与Ag+半径差较大,它们的取代样品中出现了钙钛矿相以外的杂相峰,与未取代样品(ANT)相比介电常数(ε)和介电损耗(tgδ)变大;Na+取代样品的X射线衍射谱中只呈现单一的钙钛矿相特征峰,其,εtgδ较未经取代样品(ANT)的值略有减小。
郭秀盈肖谧吴霞宛张之圣
关键词:介电性能
Sb_2O_5和Bi_2O_3添加剂对Ag(Nb_(1-x)Ta_x)O_3陶瓷结构、形貌和性能的影响(英文)被引量:4
2006年
研究了Sb2O5和Bi2O3添加剂对Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷材料的结构、形貌和介电性能的影响。结果表明:当Sb2O5和Bi2O3的质量分数较少(<2.5%)时,不会影响Ag(Nb1-xTax)O3的钙钛矿结构,但能促进其烧结,使所得陶瓷样品更均匀致密。添加适量的Sb2O5和Bi2O3均可使Ag(Nb1-xTax)O3的介电常数(ε)增大,介电损耗(tgδ)减小,介电性能的温度稳定性得到改善。Bi2O3较Sb2O5对降低Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷损耗及改善温度稳定性的效果更佳。
郭秀盈肖谧吴霞宛张之圣
关键词:氧化锑介电性能
金属膜电阻器用耐湿热丙烯酸/酚醛树脂/nano-SiO<Sub>2</Sub>涂料及其制备方法
本发明涉及一种金属膜电阻器用耐湿热丙烯酸/酚醛树脂/nano-SiO<Sub>2</Sub>涂料及其制备方法,质量组成:热固性丙烯酸树脂10~30%,酚醛树脂30~75%,nano-SiO<Sub>2</Sub>1.5~...
王秀宇张之圣
文献传递
采用MOD工艺制备PZT铁电薄膜及其性能被引量:4
2000年
研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3铁电薄膜的工艺及 PZT薄膜的介电性能 .利用 XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的 PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相的形成 .薄膜的介电温谱研究结果表明 ,薄膜的居里温度约为 430℃ (1 k Hz)
张之圣李霄云陈金亭刘如净
关键词:金属有机化合物锆钛酸铅铁电薄膜
纳米SiO_2/环氧树脂的制备与表征被引量:38
2004年
利用偶联剂处理后的纳米 Si O2 粒子改性环氧树脂制备纳米 Si O2 /环氧树脂复合材料。IR分析表明 :纳米 Si O2与环氧树脂形成了复合体 ;热失重、冲击强度、扫描电子显微镜和体积电阻率测试表明 :纳米 Si O2 和普通 Si O2 对环氧树脂有明显的改性作用 ,当 Si O2 /环氧树脂为 4 / 10 0时 ,复合体的热解温度、冲击强度和体积电阻率均达到最大值 ,纳米 Si O2 /环氧树脂的热解温度、冲击强度和体积电阻率分别为 32 3℃ ,89.2 k J· m- 2 和 3.5 6× 10 1 4Ω· cm- 2 ;普通Si O2 /环氧树脂的热解温度、冲击强度和体积电阻率分别为 30 8℃ ,17.13k J·m- 2和 2 .80× 10 1 4Ω·cm- 2。
张之圣樊攀峰李海燕
关键词:纳米二氧化硅环氧树脂改性
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