常青
- 作品数：17 被引量：44H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Φ125mm硅单晶的控氧技术被引量：1
- 1997年
- Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...
- 张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福
- 关键词：坩埚单晶硅单晶炉
- 300mm硅片倒片装置
- 一种300mm硅片倒片装置，它包括：花篮固定底座1，底座下部设两根导杆6，在导杆轴向的前后位置上各设一个推杆2，推杆的下部设支架，支架上设滑动件，滑动件与导杆上配合，在底座的两种花蓝之间设有两个滑移导轨3，所述花篮固定底...
- 库黎明闫志瑞冯泉林常青周旗钢
- 文献传递
- SOI材料的制备技术被引量：4
- 2002年
- SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本。
- 肖清华屠海令周旗钢王敬常青张果虎
- 关键词：SOI注氧隔离硅片键合减薄硅
- 300mm硅单晶的缩颈生长及应力分析被引量：6
- 2001年
- 对不同直径颈部晶体进行了拉伸实验及断口形貌观察 ,颈部晶体的断裂属于脆性断裂 ,增大晶体颈部直径可以增大其承受拉力 ,从而可以制得更大重量的单晶。缩颈生长工艺条件会对颈部晶体的抗拉强度产生影响。
- 程景柏屠海令周旗钢王敬常青张果虎方锋
- 关键词：硅单晶缩颈脆性断裂抗拉强度晶体生长应力分析
- 2-3μmIC用φ5英寸硅单晶(片)研制
- 屠海令张椿尤重远周旗钢常青冯仪朱悟新高玉芬张厥宗
- 为提高集成度和降低制造成本，要求硅单晶直径不断增大，并对其杂质和晶体完整性的要求越来越高。但直径增大，必然增加大投料量，带来的是热容量增大，拉晶时间延长，熔体与石英坩埚反应变大，晶体生产热历史对晶体质量的影响更大，生长出...
- 关键词：
- 关键词：硅单晶单晶拉制硅抛光片
- Φ200mm硅单晶的生长工艺特点被引量：6
- 1998年
- 在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。
- 张果虎常青方锋吴志强周旗钢
- 关键词：硅单晶半导体
- Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究
- 1998年
- 为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。
- 郝玉清张果虎常青方锋吴志强万关良秦福
- 关键词：硅单晶
- 2-3微米IC用φ125毫米(5in)硅单晶(片)
- 屠海令张椿尤重远周旗钢常青冯仪朱悟新等
- 1.成果内容简介：集成电路作为战略性的基础工业，其技术水平和产业规模，已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的主要标志。半导硅体材料是集成电路等电子产品的最重要、最基础的功能材料。中国生产的硅单晶及片的直径主要为...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长集成电路材料单晶硅单晶
- 黑硅制备技术及其应用的研究进展被引量：2
- 2010年
- 基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述。结果表明:黑硅材料的特殊结构能够极大降低硅表面光反射,有效提高硅太阳能电池转换效率;其特殊光敏性可应用于光波探测器;表面各向异性的黑硅在红外吸收中可以产生太赫兹辐射。当前飞秒激光脉冲法制备的黑硅材料体现了很好的光敏性,并且有望直接嵌入目前半导体制造工艺,因此备受青睐,然则其制备成本较高;相比之下,电化学刻蚀法则设备简单、成本较低,亦颇具研究前景。最后,展望了国内黑硅材料的发展趋势。
- 徐文婷屠海令常青肖清华
- 关键词：微结构反射率
- 快速退火气氛对硅片洁净区和表面形貌的影响
- 2008年
- 使用N2和N2／NH3混合气氛作为快速热退火（RTA）气氛，研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响。在N2／NH3混合气氛下，RTA处理后，硅片表面出现小坑，同时，微粗糙度增加，后续热处理工艺中会出现薄的洁净区（～10μm）和高密度的氧沉淀。经过N2气氛RTA处理的硅片，表面微粗糙度变化不大，后续热处理中获得较厚的洁净区（≥40μm）和较低的氧沉淀密度。
- 冯泉林王敬何自强常青周旗钢
- 关键词：单晶硅片氧沉淀内吸杂快速热退火
