孟凡超
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：吉林师范大学信息技术学院更多>>
- 发文基金：吉林省教育厅科研项目吉林省科技发展计划基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应被引量：2
- 2010年
- 通过结构为ITO/NPB(60nm)/Alq3∶1wt%rubrene(20nm)/Alq3(3nm)/Alq3∶1wt%rubrene(20nm)/Alq3(20nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性.研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的.同时也得到了该结构有机发光器件的发光效率的磁效应.当外加磁场强度小于20mT时,器件的电流效率变化率是随着磁场强度的增加而增加的,最大达到9.13%.当外加磁场强度大于20mT时,器件的电流效率变化率是随着磁场强度的增加而减少的.
- 姜文龙孟昭晖丛林汪津王立忠韩强孟凡超高永慧
- 关键词：磁场OLED磁效应
- 室温下磁场对基于Alq_3的有机电致发光器件的影响被引量：2
- 2010年
- 制备了ITO/NPB/LiF/Alq3/LiF/Al的器件,测量了该组器件效率和亮度的磁效应.结果表明,在50mT磁场中,当LiF缓冲层厚度为0.8nm时,器件的效率最大增加了12.4%,磁致亮度最大变化率17%.同时,制备的磷光器件ITO/NPB/LiF/CBP:6wt%Ir(ppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al,在50mT磁场作用下,当LiF缓冲层的厚度为0.8nm时,器件的效率最大增加12.1%.在Alq3的荧光器件中,由于发光材料在磁场的作用下产生了塞曼效应,超精细耦合作用减弱,单重态的极化子对向三重态的极化子对的转移受到了抑制,从而使单重态激子的数量增加,发光增强;与荧光器件类似,在Ir(ppy)3的磷光器件中,效率增加的原因是由于荧光主体材料CBP在磁场的作用下单重态激子数量增加,而间接的导致了磷光材料系间窜越现象的加剧所引起的.
- 姜文龙丛林孟昭晖汪津韩强孟凡超王立忠丁桂英张刚
- 关键词：有机发光磁场
- 基于BAlq的有机电致发光器件的磁效应被引量：5
- 2011年
- 研究了ITO/NPB(40 nm)/BAlq(60 nm)/BCP(5 nm)/LiF(0.8 nm)/Al有机电致发光器件(OLED)的磁效应。实验结果表明,磁场在10 mT时,器件的效率最大增加了34%,这一结果是由于三线态激子与三线态激子间的相互淬灭产生激发单线态激子从而使单线态激子比率增加,致使电致发光(EL)增强。当磁场强度在10、203、04、0和50 mT时,通过器件的电流-电压特性曲线得到器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的。通过不同电压下器件的亮度变化率-磁感强度、效率变化率-磁感强度的关系曲线发现,器件的亮度变化率和效率变化率随磁场强度的增加而降低,这是由于单重态极化子对在电场和磁场作用下解离为二次自由载流子并在势垒界面处积累所造成的。
- 姜文龙孟凡超丛林孟昭晖汪津王立忠韩强高永慧
- 关键词：磁场效应
- 磁自旋耦合作用对OLEDs性能的影响被引量：3
- 2008年
- 介绍了近年来有关磁自旋耦合作用对有机电致发光器件性能影响的研究进展,包括有机磁阻效应、电致发光效应、光电导效应、量子效率效应等。其中,磁场作用下的有机磁阻可达到10%,理论上最大值为-50%;自旋极化注入的引入使得OLEDs的内量子效率达到32%,并且磁场作用下的电致发光强度也增强了8%左右;磁场作用下,器件的光电导和外量子效率分别增大了6%。以上效应随磁场增加逐渐趋于饱和。对于这些效应产生的理论机制,一般认为是由于三线态-三线态的猝灭、塞曼效应及超精细作用等产生的。三线态-三线态的猝灭形成了激发单线态激子S*,形成滞后的电致发光;而塞曼效应及超精细作用则认为是磁场抑制了单线态向三线态的转化致使发光增强。现在这方面的理论仍在完善过程中。
- 王广德丛林孟昭晖孟凡超张刚高永慧华杰汪津姜文龙
- 关键词：OLEDS
