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周鹏

作品数：7 被引量：21H指数：2
供职机构：北京市科学技术研究院更多>>
发文基金：北京市科学技术研究院萌芽计划更多>>
相关领域：核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇核科学技术
  • 3篇理学

主题

  • 5篇中子
  • 4篇MCNP程序
  • 3篇中子源
  • 3篇本底
  • 3篇尺寸
  • 2篇性能研究
  • 2篇射线
  • 2篇透射
  • 2篇透射系数
  • 2篇屏蔽
  • 2篇屏蔽材料
  • 2篇屏蔽层
  • 2篇Γ射线
  • 2篇铅
  • 2篇MONTE
  • 2篇MONTE_...
  • 1篇性能计算
  • 1篇CARLO方...
  • 1篇MCNP

机构

  • 7篇北京市射线应...
  • 1篇北京市科学技...

作者

  • 7篇周鹏
  • 7篇曾心苗
  • 7篇秦培中
  • 5篇许自炎
  • 4篇郭广水
  • 3篇王炳林
  • 3篇胡祥
  • 3篇郑金美
  • 2篇王强
  • 2篇孟宪芳
  • 2篇鲍矛

传媒

  • 2篇核技术
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇2007年中...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
不同材料的中子透射Monte Carlo模拟计算被引量：7
2011年
用Monte Carlo粒子输运计算程序(M-C程序)对入射能量从0.025eV到20MeV的中子及入射厚度1–40cm的多种材料进行了中子透射性能计算。这些屏蔽材料有主体材料聚乙烯、水和混凝土、铁、铜,铅和聚乙烯-碳化硼复合材料,以及功能添加剂碳化硼和氧化钆。结果显示,随着材料厚度的增加,中子透射系数降低;同一种材料,随入射中子能量的降低透射系数降低的幅度呈增大趋势,但聚乙烯和水的透射系数较小且下降幅度与能量低于0.1MeV的中子基本相同,有些材料随厚度增加出现能量较高中子的透射系数低于能量较低中子透射系数的现象;不同材料的中子透射系数随厚度增加而降低的幅度在能量较低时差别明显,能量高时差别减小。主体材料与功能添加剂组合有利于提高材料的屏蔽能力。
曾心苗周鹏秦培中鲍矛郭广水许自炎
关键词：中子透射系数MONTECARLO方法屏蔽材料
基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究
为了计算不同厚度铅对不同能量γ射线的屏蔽性能,本工作建立了两种模型,然后使用MCNP程序对这两种模型进行模拟计算,进而得到了铅的屏蔽性能。计算结果表明:相同厚度的铅屏蔽层对低能γ射线的屏蔽能力强于高能,随着γ射线能量的增...
郭广水曾心苗周鹏秦培中孟宪芳王强
关键词：MCNP程序Γ射线铅
文献传递
中子源屏蔽体尺寸和源室结构对本底的影响研究
采用Monte Carlo方法的MCNP计算程序，对中子源屏蔽体和中子源室结构对屏蔽体不同探测位置的中子透射和反射情况进行了计算机模拟计算。计算采用的入射粒子分别为14MeV，5MeV的单能中子以及Cf-252自发裂变中...
曾心苗周鹏许自炎秦培中胡祥郑金美王炳林
关键词：MCNP程序
文献传递
不同材料中子透射的Monte Carlo模拟计算
Monte Carlo粒子输运计算程序,对入射能量从0.025eV 到20MeV 的中子及入射厚度从1~40cm的多种材料进行了中子透射性能计算.计算结果显示,随着材料厚度的增加,中子透射系数降低;同一种材料,随入射中子...
曾心苗周鹏秦培中鲍矛郭广水许自炎
关键词：中子透射系数MONTE屏蔽材料性能计算
中子源屏蔽体尺寸和源室结构对本底的影响被引量：2
2008年
采用蒙特卡罗粒子输运计算程序(Monte Carlo N-partical transport code,MCNP),就中子源屏蔽体和中子源室结构对屏蔽体不同探测位置的中子透射和反射情况进行了计算机模拟计算。计算采用的入射粒子分别为14 MeV和5 MeV的单能中子以及252Cf自发裂变中子。从计算结果看,屏蔽体的尺寸和结构对中子透射的影响都比较明显;源室的结构和地坑也对本底产生较大影响。通过理论计算可以了解屏蔽体结构和源室情况对测量本底的影响,可为源室设计以及中子实验研究提供重要参考。
曾心苗周鹏许自炎秦培中胡祥郑金美王炳林
关键词：本底MCNP程序
基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究被引量：12
2010年
为了计算不同厚度铅对不同能量γ射线的屏蔽性能,本工作建立了两种模型,然后使用MCNP程序对这两种模型进行模拟计算,进而得到了铅的屏蔽性能。计算结果表明:相同厚度的铅屏蔽层对低能γ射线的屏蔽能力强于高能,随着γ射线能量的增大,屏蔽能力呈下降趋势。作为验证,本工作计算了单向源、面源、各向同性面源情况下铅的屏蔽性能,还通过改变PHYS卡计算铅的屏蔽性能,得到的结果与上述结论一致。
郭广水曾心苗周鹏秦培中孟宪芳王强
关键词：MCNP程序Γ射线铅
中子源屏蔽体尺寸和源室结构对本底的影响研究
采用 Monte Carlo 方法的 MCNP 计算程序,对中子源屏蔽体和中子源室结构对屏蔽体不同探测位置的中子透射和反射情况进行了计算机模拟计算。计算采用的入射粒子分别为14MeV,5MeV 的单能中子以及 Cf-25...
曾心苗周鹏许自炎秦培中胡祥郑金美王炳林
关键词：本底
文献传递
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