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吉勇

作品数:75 被引量:31H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金高等学校学科创新引智计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 63篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇自动化与计算...
  • 12篇电子电信
  • 6篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 55篇封装
  • 24篇扇出
  • 24篇芯片
  • 20篇电路
  • 20篇集成电路
  • 19篇电路封装
  • 19篇集成电路封装
  • 19篇硅基
  • 18篇晶圆
  • 17篇凸点
  • 13篇封装结构
  • 12篇基板
  • 10篇布线
  • 9篇互连
  • 8篇晶圆级封装
  • 7篇TSV
  • 6篇圆片
  • 6篇介质层
  • 5篇刻蚀
  • 5篇键合

机构

  • 75篇中国电子科技...
  • 5篇无锡中微高科...
  • 1篇江南大学

作者

  • 75篇吉勇
  • 43篇明雪飞
  • 11篇燕英强
  • 10篇高娜燕
  • 9篇丁荣峥
  • 7篇李杨
  • 4篇陈波
  • 4篇李欣燕
  • 3篇毛冲冲
  • 2篇汤赛楠
  • 2篇陈桂芳
  • 2篇曹玉媛
  • 2篇朱媛
  • 1篇潘福跃
  • 1篇张荣臻

传媒

  • 6篇电子产品可靠...
  • 3篇电子与封装
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇2014`全...

年份

  • 10篇2024
  • 1篇2023
  • 13篇2022
  • 6篇2021
  • 12篇2020
  • 11篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 8篇2014
75 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多层多芯片扇出型三维集成封装方法及结构
本发明涉及一种多层多芯片扇出型三维集成封装方法及结构。其包括如下步骤:步骤1、提供临时键合载板,并设置载板互连金属布线层;步骤2、在所述载板互连金属布线层上制备得到所需的底层塑封单元体;步骤3、在上述底层塑封单元体上制备...
夏晨辉周超杰王刚吉勇明雪飞
文献传递
一种基于TSV技术的埋置型三维集成封装结构
本发明涉及集成电路封装技术领域,特别是涉及基于TSV技术的集成电路封装技术领域。本发明实施例中,基于TSV技术的埋置型三维集成封装结构,包括,所述三维集成封装结构由若干个二维结构通过TSV转接板微凸点互连;所述二维封装结...
姚昕明雪飞吉勇
文献传递
一种通孔填充制作方法
本发明涉及通孔填充制作方法,包括以下步骤:提供已完成通孔、绝缘层制备的样件,在完成通孔和绝缘层制备的样件上的通孔侧壁及表面电镀或化镀金属层;将样件任意一面键合在第一载板上,在另一面压入干膜填充通孔并均匀覆盖表面;将表面干...
叶刚吉勇李奇哲
晶圆级扇出封装的圆片结构及采用该圆片结构的晶圆级扇出封装工艺
本发明涉及一种晶圆级扇出封装的圆片结构及采用该圆片结构的晶圆级扇出封装工艺,属于晶圆级封装技术领域。所述晶圆级扇出封装的圆片结构,包括金属框架单元、芯片和塑封料,所述金属框架单元包括主框架和连脚,连脚设置于主框架的四周;...
王剑峰明雪飞吉勇高娜燕
文献传递
组合薄膜在封装级抗干扰中的应用
陈桂芳吉勇
关键词:抗电磁干扰抗辐照
一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构
本发明公开一种高传输率晶圆级扇出型封装方法及其结构,属于电子封装技术领域。将第一组元器件通过键合膜贴装在载具上;塑封第一组元器件并进行烘烤,拆除载具,清洗干净键合膜,对第一组元器件背面进行研磨;在第一组元器件正面涂覆感光...
徐罕李守委王成迁吉勇
文献传递
基于自蔓延反应的气密性陶瓷封装技术研究
2019年
研究了一种利用Al/Ni合金薄膜自蔓延反应来实现气密性陶瓷封装的技术方案,并对该方法的气密性焊接质量进行了测试和分析。研究结果表明,通过蒸镀工艺,可以有效地制备规定厚度和规定层数的Al、 Ni交替叠层薄膜。该Al/Ni合金薄膜在压力条件下可以触发自蔓延反应,形成局部高温焊接。参照GJB 548B密封性A1方法对样品进行密性测试,结果显示:平均测试结果为4.0×10-3(Pa·cm3)/s;利用X-ray测试焊接区,结果显示:孔隙率为14.47%。由此可以判断,该气密性封装方法的密封性和孔隙率均符合标准。
李杨朱家昌明雪飞吉勇高娜燕
关键词:自蔓延反应
超大规模CCGA器件板级互联可靠性研究被引量:3
2022年
以超大规模CCGA2577板级互联器件为研究对象,进行了温循过程可靠性模拟仿真和试验分析。首先,讨论了线型Pb90Sn10焊柱和铜带缠绕型Pb90Sn10焊柱阵列的板级互联可靠性及疲劳寿命,指出了两种焊柱下器件的危险失效点和失效模式;然后,结合试验对比验证了仿真模型的准确性,进一步地确认了焊柱直径和长度等参数对CCGA2577板级互联器件疲劳寿命的影响规律,给出了其板级互联可靠性结论;最后,针对超大规模CCGA器件板级互联可靠性设计给出了建议。
朱家昌潘福跃王刚吉勇
关键词:可靠性
一种硅基三维扇出集成封装方法及结构
本发明公开一种硅基三维扇出集成封装方法及结构,属于集成电路封装技术领域。首先提供背面沉积有截止层的硅基,在所述截止层上键合玻璃载板;接着在所述硅基正面刻蚀出凹槽和TSV通孔,在凹槽中埋入母芯片并用干膜材料填满;然后将若干...
王成迁明雪飞吉勇
文献传递
一种三维系统级集成硅基扇出型封装方法及结构
本发明公开一种三维系统级集成硅基扇出型封装方法及结构,属于三维系统级集成电路封装技术领域。首先提供硅基,将其与玻璃载板键合;在所述硅基背面刻蚀出凹槽和TSV通孔,在TSV通孔中制作背面第一层重布线,在凹槽中埋入桥芯片;然...
王成迁明雪飞吉勇
文献传递
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