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卢红亮
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114
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H指数:3
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复旦大学
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张卫
复旦大学信息科学与工程学院微电...
孙清清
复旦大学信息科学与工程学院微电...
丁士进
复旦大学信息科学与工程学院微电...
黄伟
复旦大学
王鹏飞
复旦大学
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基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用
本发明公开了一种基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化锌纳米线结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明首先采用合成条件简单的硬模板法制备单层氧化锡纳米碗材料,然后采用原子层沉积技术和水热法相结合的工艺制备支化氧化锌纳米线,...
卢红亮
朱立远
袁凯平
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一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法
本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED,并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连...
卢红亮
陈丁波
文献传递
一种集成电路铜互连结构及其制备方法
本发明属于微电子技术领域,具体为集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明采用Ru-N-Ti结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/仔晶层。使用原子层沉积镀膜(ALD)方法制备出Ru<Sub>x</Sub>(T...
卢红亮
张远
耿阳
朱尚斌
孙清清
张卫
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一种电镀铜溶液
本发明属于半导体集成电路制造技术领域,具体为一种电镀铜溶液。该电镀铜溶液包括:硫酸铜、硫酸、氯离子、烷基丁二酸酯磺酸钠和磺酸盐类。其优点在于调高了电镀液的酸铜比,可以保证在纳米级的深孔中铜层应有的厚度;流动性更好,电镀铜...
卢红亮
谢立恒
丁士进
张卫
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一种利用Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>@MXene核壳结构纳米复合物实现β-淀粉样蛋白精确检测的方法
本发明公开了一种利用Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>@MXene核壳结构纳米复合物实现β‑淀粉样蛋白精确检测的方法。其采用FAM修饰的β‑淀粉样蛋白适配子(FAM‑apt<Sub>Aβ</Sub>)...
卢红亮
温小红
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一种利用ALD制备锗基MOS电容的方法
本发明属于半导体技术领域,具体为一种利用原子层淀积(ALD)制备锗基MOS电容的方法。本发明步骤为:首先在Ge基衬底上进行快速热氧化处理,形成GeO<Sub>2</Sub><Sub>;</Sub>然后在其上淀积高介电常数...
卢红亮
耿阳
孙清清
王鹏飞
张卫
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一种铜互连结构及其制备方法
本发明属于微电子工艺技术领域,具体是一种以Ru-Al-O作为扩散、粘附阻挡层的铜互连结构以及制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础,采用Ru-Al-O代替传统的TaN/Ta双层结构,作为铜互连结构的新的铜扩散阻挡层。利用...
卢红亮
张卫
谢立恒
丁士进
王鹏飞
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一种半导体存储器件电学参数测试系统
本发明属于微电子存储器件测试技术领域,具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中:测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块;计算...
陈志辉
江安全
卢红亮
张卫
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原子层淀积制备Al2O3薄膜及其特性研究
以Al(CH3)3和H2O为反应源,在300℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜.淀积好的Al2O3薄膜在高纯N2(99.999﹪)气氛中进行高温快速热退火处理.采用X射线反射谱(XRR)、X射...
卢红亮
张卫
徐敏
陈纬
任杰
丁士进
关键词:
氧化铝薄膜
介电性能
原子层淀积
X射线光电子能谱
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具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法。采用选区外延生长的方法,在AlGaN/GaN异质结侧壁生长p‑GaN形成p‑GaN/2DEG结。分别在p‑GaN和AlGaN/GaN异质结上制备p型和n...
卢红亮
陈丁波
张卫
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