冯思民
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 物理逆问题中的一个定理被引量：1
- 1995年
- 本文将物象重建归结为描述这一物理过程的积分方程的定义域的反演问题。本文提出了一个定理,当被积函数满足某些先决条件时,则该定义域的轮廓可以借助于这个定理反演获得。计算机模拟结果表明了本文的论述和定理的正确性。
- 冯孔豫冯思民
- 关键词：电磁学反演
- 隧穿展宽对超晶格子带间光吸收饱和的影响
- 1991年
- 本文运用Kronig—Penney模型新形式,研究超晶格子带间光吸收的三阶非线性效应,发现不论量子阱参数(如阱宽、垒宽和垒高等)如何改变,光吸收饱和强度与隧穿谱宽之间存在着一种较普遍的关系,并阐明了这种依从关系的物理机制。
- 潘少华冯思民崔大复杨国桢
- 关键词：隧穿超晶格半导体
- GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格子带间光跃迁的研究被引量：4
- 1990年
- 运用Kronig-Penney模型的新形式,研究了超晶格子带间光跃迁的频率、带宽和跃迁强度,用GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱材料做了关于红外吸收的实验,理论与实验符合较好。
- 潘少华陈正豪冯思民崔大复杨国桢
- 关键词：GAAS超晶格光跃迁
- 超晶格导带光学非线性响应理论
- 半导体多量子阱结构(MQWS)和超晶格SL是两种不同组成的材料层A和B沿z方向交替生长而成。A和B的厚度a及b各为几十个埃,因此每个超晶格周期d(=a+b)内包含d/L个。体材料的原胞的(L为体原胞的大小),使得晶体的一...
- 冯思民潘少华杨国桢
- 文献传递
- GaAs/AIGaAs多量子阱子带间光跃迁的研究
- ＜正＞ 随着分子束外延等技术的不断完善,半导体多量子阱结构和超晶格的制备、研究和应用受到相益广泛的重视。迄今研究得最多的是GaAs/AlGaAs材料。由窄带隙材料（例如GaAs）构成电子和空穴的势阱,而由宽带隙材料（例如...
- 潘少华陈正豪冯思民崔大复
- 文献传递
- 散射成象的似视原理
- 1995年
- 本文在严格的远区散射场的框架下,探讨了物象重建问题。指出在散射一逆散射问题中,只存在两维傳氏对偶空间。文中提出在单一波数,单一入射并且小成象角条件下成象的似视原理。揭示了在散射成象问题中存在着成象角与工作波长的互补关系。理论结果由计算机模拟得到验证。最后对用波的理论解释人的视觉机制作了尝试。
- 冯孔豫冯思民张孟阳
- 关键词：逆散射
- 适于超晶格应用的Kronig-Penney模型新形式被引量：1
- 1990年
- 本文发展了一种Kronig-Penney模型的新形式,比文献[1]的新形式更加普遍和实用,可以分别给出奇数带和偶数带任意k值的包络波函数和能量本征值,并且深入分析了波函数的字称,从而为对超晶格物理性质的研究,提供了一种更加合适的理论形式。
- 潘少华冯思民杨国桢
- 关键词：超晶格
