于丰亮
- 作品数：12 被引量：37H指数：4
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- CdSe单晶体的生长研究被引量：1
- 2000年
- 硒化镉 (CdSe)晶体有两种结构 ,一种是六方结构 ,6mm点群 ;另一种是立方结构 ,43m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温半导体探测器材料。其能隙较大 (Eg =1 .75eV) ,电阻率较高 ( 1 0 12 Ω·cm) ,在室温高偏压下 ,漏电流很小 ,电子和空隙迁移率较大 ( μc=72 0cm2 /V·s,μh=75cm2 /V·s) ,电子俘获浓度大 (Nt=1 0 14 /cm3 ) ,电荷收集效率高 ,稳定性好 ,没有像在CdTe和HgI2 晶体中观测到的极化现象 ,力学、热学和化学稳定性能也优于HgI2 晶体。因此 ,CdSe晶体是一种有希望替代CdTe和HgI2 的室温核辐射探测器新材料 ,用其制作的探测器和各种谱仪可广泛用于探矿、无损检测、核医学、环境监测、军事和空间宇航技术等领域。CdSe晶体熔点高达 1 2 39℃ ,在熔点附近平衡蒸汽压高达十几个大气压 ,因此其单晶体难以用常规的熔体法生长。我们采用水平气相输运法进行了CdSe单晶体生长试验 ,对其在不同温度和温度梯度下的结晶特性进行了研究 ,确定出生长六方CdSe单晶的较好工艺参量为 :源区蒸发温度 1 1 0 0℃ ,生长界面附近温度梯度为 6℃ /cm ,生长区与源区的距离大约为 1 2cm。在此条件下 ,生长出1 0× 1 2mm外观完整 ,有自然显露晶面的CdSe晶锭。
- 朱世富赵北君于丰亮李正辉李其峰邵双运朱兴华王学敏何苗林剑
- 关键词：晶体结构温度梯度
- 硒镓银晶体的结构与光学特性研究被引量：7
- 2001年
- 用坩埚旋转下降法生长出 2 2mm× 88mm的红外非线性光学晶体硒镓银 ,并对其结构与光学特性进行了研究 ,测定出晶体结构为 4- 2m点群 ,晶格常数a =0 .5 993 3mm ,c =1.0 884nm ,熔点860℃ ,在 10 .6μm附近的透过率为 62 .4% ,对 10 .6μmCO2 激光的能量转换效率达 12 %。此外 ,还进行了扫描电子显微镜 (SEM )图像观察和核光谱特性测量。
- 赵北君朱世富李正辉傅师申于丰亮李奇峰
- 关键词：红外透过率倍频效应
- gGaS_2单晶生长与完整性研究被引量：8
- 2001年
- 采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2 多晶 ,计算出晶格常数a=5.7535nm ,c =10 .30 0 8nm ,以及S原子位置x =0 .2 79,与PDF值相差很小 ,表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径 15mm长度 30mm的单晶体 ,经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。
- 朱兴华赵北君朱世富于丰亮邵双运宋芳高德友蔡力
- 关键词：AGGAS2多晶合成单晶生长
- 硫镓银（AgGaS2）单晶体生长及其性能表征
- 硫镓银（AgGaS2）晶体是—种性能优异的红外非线性光学材料。它的非线性光学系数大，有足够大的双折射，品质因素高，红外透射范围宽，可制成倍频、混频和光参量振荡器件。在中红外范围内可提供多种频率的光源，在激光军事通讯、红外...
- 于丰亮
- 关键词：AGGAS2晶体生长红外透过率
- 文献传递
- 用X射线衍射方法研究AgGaSe_2晶体的完整性
- 2000年
- 采用坩埚旋转下降法生长出 Ag Ga Se2 大单晶 ,借助 X射线衍射方法研究其完整性 ,结果表明晶体具有好的均匀性和完整性 .
- 朱兴华邵双运金应荣李奇峰于丰亮赵北君李正辉朱世富
- 关键词：X射线衍射完整性
- 纳米CdSe的研究进展被引量：2
- 2000年
- 叙述纳米 Cd Se的制备方法及其性能 .提出了采用催化剂控制纳米 Cd Se生长的设想 .
- 金应荣李奇峰邵双运朱兴华于丰亮章连文赵北君李正辉朱世富
- 关键词：纳米材料CDSE
- 制备室温CdSe探测器的研究被引量：3
- 2001年
- 报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 .
- 宋芳赵北君朱世富金应荣邵双运杨文彬王学敏于丰亮李正辉
- 关键词：半导体探测器
- 坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体被引量：4
- 1999年
- 本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法———熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法。５ ～６Ｎ 高纯Ａｇ 、Ｇａ 、Ｓｅ 单质按ＡｇＧａＳｅ２ 化学配比富０ ．５ ％ Ｓｅ 配料，１１００ ℃下合成并在熔点附近进行温度振荡，获得了高纯单相致密的ＡｇＧａＳｅ２ 多晶材料。用合成的多晶为原料，采用坩埚旋转下降法生长出２２ ×８０ｍｍ 的ＡｇＧａＳｅ２ 单晶锭。晶体外观完整，在１０ ．６μｍ 附近红外透过率达６２ ．４ ％ ，吸收系数低于０ ．０１ｃｍ － １ ，对１０ ．６μｍ ＣＯ２ 激光实现倍频，能量转换效率达１２ ％ 。
- 赵北君朱世富李正辉傅师申于丰亮李奇峰
- 关键词：非线性光学晶体单晶
- 对红外非线光学材料硫镓银(AgGaS_2)晶体形貌的观察研究被引量：3
- 2001年
- 用改进的Bridgman法 ,生长出了 1 5mm× 2 0mm的红外非线性光学晶体硫镓银 .采用蚀象法 ,观察了该晶体腐蚀条纹 ,其结果与现有报道结果一致 .通过实验 ,观察到了规则整齐的蚀坑 ,并对其内部形貌进行了初步研究 .
- 于丰亮赵北君朱世富朱兴华李正辉高德友蔡力
- 坩埚旋转下降法生长硫镓银单晶体及其特性观测被引量：14
- 2001年
- 报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法．合成了高纯单相致密的ＡｇＧａＳ２多晶材料，生长出尺寸为φ１５ｍｍ×３０ｍｍ的ＡｇＧａＳ２单晶锭．对晶体的完整性进行了结构分析，观测到ＡｇＧａＳ２｛０１１｝面族的六级Ｘ射线衍射峰呈现高级次的衍射强度异常增强的反常现象．对晶体的位错蚀坑进行了扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察．
- 赵北君朱世富李正辉于丰亮朱兴华高德友
- 关键词：多晶合成单晶生长
