龙飞
- 作品数：11 被引量：8H指数：2
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- GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
- 2006年
- 基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。
- 罗谦杜江锋靳翀龙飞周伟夏建新杨谟华
- 关键词：GANHEMT电荷输运表面态电流崩塌
- 脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究
- 2005年
- 基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点。大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约50%;脉冲信号频率对电流崩塌效应影响较小;当栅压较小时,随着脉冲宽度的改变,漏脉冲电流按I0(0.89+γT/16)的规律变化。分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间,并被表面态捕获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道电流减小,从而导致电流崩塌效应。该结论可望用于GaN HEMT器件在脉冲条件下电流崩塌效应进一步的理论探讨和实验研究。
- 龙飞杜江锋罗谦靳翀周伟夏建新杨谟华
- 关键词：电流崩塌效应GANHEMT表面态脉冲测试
- 栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究被引量：1
- 2007年
- 源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于实验结果的理论分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道二维电子气浓度减小,从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一.该结论有助于AlGaNHEMT器件脉冲条件下电流崩塌效应理论解释和器件应用.
- 龙飞杜江锋罗谦靳翀杨谟华
- 关键词：电流崩塌效应ALGAN/GAN表面态
- GaN HEMT电流崩塌效应机理与实验研究
- AlGaN/GaN HEMT由于具有击穿电压高、电子漂移速度快和电子浓度大等特点，已被越来越多地应用于高频及大功率领域。但是，受电流崩塌和自热等效应影响，其器件性能被大大地降低。其中，电流崩塌效应是减小器件输出功率的主要...
- 龙飞
- 关键词：物理模型迭代法
- 文献传递
- RFID标签天线的设计研究
- 无线射频识别技术（Radio Frequency Identification． RFID）是从二十世纪九十年代兴起的一项利用射频信号进行非接触式双向通信，自动识别目标对象并获取相关信息数据的无线通信技术。它利用射频信号...
- 龙飞
- 关键词：无线射频识别技术天线设计电磁场理论
- 文献传递
- 利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器及制备方法
- 本发明涉及利用非对称结构实现高性能的F‑P薄膜滤波器及制备方法。改结构是在腔层上方沉积3个周期的高低折射率材料，下方沉积3个周期高低折射率材料，最后再表面沉积一层低折射率材料，起到提升滤波器性能(提升半峰宽和反射抑制比)...
- 何燕军刘爽李佳城宋轶佶许阳龙飞刘永
- 文献传递
- 项目管理在苍溪县电子政务外网建设项目中的应用研究
- 随着政府职能的不断深化变革,以及世界电子信息技术的迅猛发展,电子政务已经在政府部门之间沟通、政府内部高校办公以及公众服务等各个方面起到不可替代的作用。为了实现更好地服务于广大人民群众,为人民群众提供一个更高效、便捷的服务...
- 龙飞
- 关键词：电子政务外网项目管理进度
- 文献传递
- 应力条件下AlGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究
- 2006年
- 采用应力测试方法,获得了AlGaN／GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表明, 应力导致漏极电流崩塌56．2％;不同电压应力条件下,只要所加时间足够长和电压足够大,相同栅压的电流崩塌程度都近似相等;漏极电流恢复时间与大小分别为34．5+αVGS与α(VGS-VT)(2-βt)。研究表明,栅- 漏间表面态捕获的电子使得表面电势发生变化,引起沟道中二维电子气浓度降低,从而导致电流崩塌效应的产生。此结论可望用于AlGaN／GaN HEMT器件电流崩塌效应进一步的理沦探索和器件研究。
- 龙飞杜江锋罗谦夏建新杨谟华
- 关键词：电流崩塌效应高电子迁移率晶体管表面态
- GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究
- 2006年
- 设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感,而在高频时出现饱和。当信号频率足够高时(≥4kHz),AlGaN/GaN薄膜将呈现高阻,器件关断,说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽。该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据。
- 罗谦杜江锋罗大为朱磊龙飞靳翀周伟杨谟华
- 关键词：氮化镓表面态电流崩塌
- 基于舰载飞机的飞推综合控制研究
- 舰载机的综合飞推控制主要体现在进舰着舰的自动导引和下滑着舰控制，这是舰／舰载机相容性的主要研究内容。由于着舰环境十分恶劣，要求飞机的着舰系统具有非常高的下滑轨迹控制精度。因此，对飞机下滑阶段的姿态控制十分关键。舰的ACL...
- 龙飞
- 关键词：舰载飞机
- 文献传递
